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硅条带探测器阵列在空间粒子探测中的应用 邹鸿，陈鸿飞，邹积清，施伟红 北京大学空间物理与应用技术研究所 张录，宁宝俊，田大宇 北京大学微电子所 摘要：本文简要介绍了由北京大学微电子所研制的硅条带探测器阵列的基本特点，并在实验室中 测量了硅条带探测器阵列的一些基本参数和特性。了解其结电容和条间串扰对于它在空间粒子探 测中的应用具有十分重要的意义。 ‘ 关键词 硅条带探测器空间粒子探测 1．简介 硅条带探测器阵列具有位置分辨率高，处理速度快等优点，被广泛应用于高能物理实验中【l 一3】，另外还可用于X射线和7射线成像。根据其良好的位置分辨率，它还被用予探测空间粒子 with Particle 的投掷角分布【4】。在CLUSTER卫星的RAPID(Research Detectors Adaptive Imaging 自适应粒子成像探测研究)中，IES(成像电子谱仪)有三个相同的传感器头，每个传感器的探 头由三个针孔成像器组成。每个“针孔”成像器覆盖60o，的扇面，整个探头可以覆盖1800扇面， 随着卫星自转扫过360。方位角，因而可以进行全方位探测。图l(a)给出IES针孔相机的横截面 示意。三个针孔相机组合排列覆盖了180。的极角的电子测量，其外形如图1(b)所示。800微米厚 的离子注入式条带半导体探测器用来测量粒子的能量。针孔和每个条带组合可测量200投掷角内 的电子通量。图2描述了对于三种能量的电子(65、90和¨4 keV)IES相机得到的很好的角度 分辨率。 、‘、戡建 挚．爵引嚣 掰技 ：：譬o”o 隧，鲥 (a) (b) 图1．IES传感器头的截面示意图。(a)为构成180。投掷角的三个传感器头，(b)为单个传感器头。 外闸是探头的屏蔽壳，内部为三个条带探测器。 目前国内还没有利用条带探测器对空间粒子进行观测的报道，在I蚕夕1-也是比较先进的技术， 邑对-j-．我们了解近地空间中高能带电粒子的投掷角分布具有十分重要的意义。 5t)l | u oo— 图2 t4kKeV的电子。 IES探头的角度响应分布，(a)，(b)，(c)分别对应于能量为65，90和1 2．北京大学微电子所研制的硅条带探测器阵列 北京大学微电子利用微机械加工工艺，在厚度为300urn的N型硅片上制作出16个 结构示意图如图3所示。该探测器为离子注入探测器，P+为注入硼粒子的区域。 图3．硅条带探测器阵列截面示意图。 !PIN探测器的主要指标包括：全耗尽电压(和工作偏压)，结电容，反向漏电流和量子效率 等。其中我1illI：g较关心的是前三个参数： 2．1全耗尽电压(和工作偏压) 592 根据PN结的结深公式： ∞,／p。V(1)， d-(警) 其中占为介电常数(对于硅，s=12)，／2，，为电子迁移率，p，为N型材料的电阻率，V为反向偏 压。因此，结深随反向偏压的增加而增加，d增加到整个芯片厚度时所加的反向偏压就是全耗尽 电压。由公式(1)可知，选择高电阻率的硅材料就可以在较低偏压下达到全耗尽状态。 本文所描述的硅条带P