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新型硅雪崩漂移探测器及其能量分辨率研究 袁俊，李红日，梁琨’，杨茹，韩德俊 北京师范大学核科学与技术学院，北京，100875 摘要：报道一种新型正面入射硅雪崩漂移探测器(ADD)结构，以及利用ISE．TCAD器件模拟器对探测器电势分布， 耗尽区空穴载流二f浓度分布等特性的模拟结果，提出ADD上fl-：在线形模式并结合闪烁体町以用来探测高能离r或射线。 较好的能量分辨率，特别是对低能端射线的探测有很好的优势。 关键字：硅雪崩漂移探测器，硅漂移探测器，雪崩效应，能量分辨率 0引言 射线探测器被广泛地应用于天文学、核医学、高能物理研究等领域。常用的射线探测器有PMT、 但其体积相比半导体探测器大很多，对磁场敏感，而且制作工艺复杂，成本较高。硅漂移探测器(SDD) 器的面积，其电子学噪声一般远小于f_J样面积和厚度的雪崩光电二极管(APD)和硅PIN探测器，但 SDD没有增益，不能对单个可见光光子响应，并需要精密的低噪声前放电路。 2001年，GintasVilkelis等人与马普所等研究人员提出了一种将传统SDD结构与盖革雪崩光电二 不仅具有传统SDD小输出电容的优点，而且具有雪崩结的高增益(可达105以上)优点，降低了对外 部前放电路的要求，预期具有较高的光探测效率(80％)。2005．2006年，GerhardLutz等人对该背面 入射的硅ADD的电势分布、雪崩区电场分布、Geiger模式下的雪崩机制和单光子效应等特性进行了详 细的模拟，模拟结果表明这种器件结构的可行性。然而，该结构的ADD需要硅衬底全耗尽，将导致很 Moser、Jelena Ninkai等人对该器件的特性进一步进行模拟，并制作了一些中心雪崩结的简单测试结构， 至今仍没有成功制作出该结构完整器件的报导Ij。J。 为了克服背面入射全耗尽硅衬底ADD的缺点，我们提出并研制成功了一种新型正面入射结构的 ADD，已有初步的测试结果报引81。该器件可以工作在盖革模式，具有105量级的增益以及可见光单光 工作在线性模式下(增益几十到几百)，与闪烁体’结合用来探测X或Y射线。对ADD与几种常见的闪 烁体射线探测器(PMT、PIN、APD、SDD)的能量分辨率进行了对比研究。 l ADD结构及工作原理 我们提出并研制的新型正面入射雪崩漂移探测器结构如图1所示。其基本结构是以N—channel， 为光探测的有源区，并在其中形成一条光生空穴能谷的漂移通道。有源耗尽区深度小于101am，相比德 国马普所整个衬底全耗尽的ADD结构，将大大降低耗尽区产生的暗电流，降低了暗计数率。由于采用 场区面积大大减小，可以有效减小漏电流或暗计数(相比于相同有效探测面积的APD器件)。这种正 而入射结构与浅的耗尽区在保证了高的探测效率的同时，大大降低了暗计数率和光学串扰，而且单面 。困家自然科学基金资助项同(批准号 通讯竹!者：+86-1 0e-mail：lk!毡坠娶丛：￡4女：￡琏 319 结构n，JADD大大简化rr洲作』．岂 鹫纛籍麓鬟甏蓼。素霪懑 I Ns曲dmlo 国I新型止lAI入舯善崩漂移探测器鲒构9J new drin Schematic栅ctuTeortheavalanchedet州torwithfrontillumination FigI 器件]．作时GND接地，内漂移土1=RI加小的JE电,lI．f约1．4V)．外漂移环R2JJⅡ比R1稍高几伏特 的EfEII,．，||IISE-TCAD软件模拟得到的漂移区lⅡ许分佑如H 2fa)所示。结粜显示，在p-well耗尽区 中形成一指山器件单元中，fi,的侧向漂移电场，墟注入的N．channel作为分压电阻使侧向漂移电场Ⅲ均 勺。玻测光竹导从探测器的正【Ⅲ入射。圈2(b)给小II『软什模拟得到的空穴电流的分布和流向，若在托 尽区巾产生fU了一空穴对，电予艘排斥进入N—channel或衬底，丽空穴被集巾于