一种用于个人辐射剂量监测的新型探测器.pdfVIP

全国第十二届核电子学与核探测技术学术年会论文集 of the12thNatiortal Proceedings ConferenceonNude“Electronics＆Nulear Detection Techn0109y 一种用于个人辐射剂量监测的新型探测器 刘虹宇，程松，唐开勇，周春芝 (防化研究院第二研究斯北京102205) )(摘要：简要描述了DIs探测器的结构与设计方法，初步探讨了其工作原理。介绍了其剂量学特性。 关键词：DIS探铡器；浮置栅MOS；气体电离室 ／ ? 、J 陋引崮 生雪崩，硅栅中没有电荷，MOS管处于截止状 。， 、 由于半导体核辐射探测器具有阻止本领 态。而当电子注入到多晶硅以后，由于受到散 I心 ／高、体积小、功耗低等特点，目前已应用于核辐 射而失去了能量，电子就稳定地停留在硅栅上， ■ 射防护与监测的各个领域。但其探测灵敏度不 而且长久保持下去。当存储器受到射线照射 p 高一直没有得到很好解决。现在结合了半导体 时，如射线的能量大于二氧化硅禁，但氧化层中 。 探测器与气体电寓室的DIS探掘器的出现，较 电荷载体移动率较低。因此，浮栅MOS对射线 好地解决了上述难题。DIS探测器是90年代发的灵敏度不高。 展的一种半导体与电离室集成核辐射探测器， j 它是利用浮栅MOS充放电原理与Bragy—Gray ^l 空腔电离室原理研制而成的直接电荷存贮探测 SIO 器。它不仅具备了结掏简单，能够测试多种射 线，有足够高的辐射灵敏度等特点．并且读出方 蟊1浮置橱Mos结构图 法简易，成本低，叉能重复使用。有望成为一种 而DIS探测器对此作出了如下改变：包围 较为理想的孩辐射探测器。 ．≤， 浮置栅的氧化层被允许打开一个口子，使得浮 置栅直接与周围空气或其他气体接触。在那些 I工作原理 入射到空气或气体中的辐射离子将产生速率极 DIS探测器所使用的半导体器件是一种可 快的电子空穴对，如果浮置栅周围有一个电子 编程只读存贮器(EPROM和E2PROM)，它是用 场，这些电荷载体在被复合前被极有效地迁移 多晶硅做栅电极以薄二氧化硅层作为栅介质的 到栅极上。DIS探测器示意图如图2所示。 浮置据雪崩注入MOS结构(如图1所示)。当 源、漏均接0电平时，多晶硅浮置栅上没有电 荷，源漏之间不能导通。若源接地，而在漏极上 施加一个足够高的电压，这时多晶硅源栅对漏