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压焊点晶体缺陷问题的程式优化研究 摘 要 本文首先简单介绍了半导体芯片的加工流程，然后给出了压焊点晶 体缺陷的概念和影响。压焊点晶体缺陷来源于晶片的加工阶段，影响到 后续封装的引线可靠性。 为了解决这一问题，我们仔细的分析了压焊点的制造工艺，并且结 合现有的研究成果，得出了要根本性的减少压焊点晶体缺陷，就要降低 压焊点表面氟元素含量这一观念。 接下来我们采用归纳总结的方法，用实验来验证各种对于压焊点表 面氟元素来源以及如何降低之的推测。其一，是去胶工艺时间对于压焊 点表面氟元素含量的影响；其二，是清洗工艺时间对于压焊点表面氟元 素含量的影响；其三，是去胶工艺温度对于压焊点表面氟元素含量的影 响；最后，还有一些奇思妙想，包括在清洗之前增加氩气等离子体刻蚀 工艺以及在清洗之后再进行一次去胶工艺。 通过归纳终结，我们得出了三种有效降低压焊点表面氟元素含量的 方法：延长清洗工艺的时间，低温去胶工艺以及氩气等离子体刻蚀压焊 点。 在现实生产中，根据实验的结果，我们用 60 分钟的清洗工艺取代 了原来的 40 分钟工艺，使得压焊点晶体缺陷从以前的平均每月 300 多 片的缺陷率降低到现在很少发现的水平。氩气等离子体刻蚀压焊点的想 法由于有负面的影响，并没有被应用。低温去胶工艺也没有广泛应用的 原因是我们在采用了 60 分钟的清洗工艺之后已经解决了压焊点晶体缺 陷的问题。 关键词：压焊点晶体缺陷，刻蚀，去胶，清洗，等离子体 PROCESS OPTIMIZATION FOR F CRYSTAL DEFECT ON THE AL PAD SURFACE ABSTRACT This paper firstly introduces semiconductor process flow, then introduces the definition and impact of the pad crystal defect, which is from wafer manufacturing process and will impact the reliability of package. To solve the problem, we analyze Al pad process flow and study current lesson learn. Finally, we get the theory of reducing crystal defect, which is decreasing fluorine concentration of the pad surface. Many experiments are designed to verify those ideas about decreasing fluorine concentration, including Asher process time optimization, wet process time optimization, Asher process temperature optimization, argon plasma sputtering and double Asher process. Finally, we get there effective methods to decreasing fluorine concentration, which are extending wet process time, low temperature Asher and argon plasma sputtering process. According to the experiment result, we use 60 minutes wet process to replace the 40 minutes wet process in manufacturing. This action make Al pad crystal defect reduce from about 300 pieces per month to