3D封装和硅通孔TSV工艺技术.pptVIP

目录 2.有源基板型3D封装 3D封装与TSV工艺技术 4 TSV技术简介 1 2 3 5 通孔的形成 晶片减薄 TSV 键合 总结 叠层芯片封装技术，简称3D封装，是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储-器(NOIUNAND)及SDRAM的叠层封装。 3D封装 填埋型即将元器件填埋在基板多层布线内或填埋、制作在基板内部。 有源基板型是用硅圆片集成( wafer scale integra-tion, WSI) 技术做基板时, 先采用一般半导体IC制作方法作一次元器件集成化, 形成有源基板, 然后再实施多层布线, 顶层再安装各种其他IC芯片或元器件, 实现3D封装。这一方法是人们最终追求并力求实现的一种3D封装方法。 叠层型是将两个或多个裸芯片或封装芯片在垂直芯片方向上互连形成3D结构。 3D封装形式 TSV技术简介 ——在各类基板内或多层布线介质层中“埋置”R、C或IC等元器件，最上层再贴装SMC/SMD来实现立体封装。 1.填埋型3D封装 TSV技术简介 ——Si圆片规模集成(WLS)后的有源基板上再实行多层布线,最上层再贴装SMC/SMD。 TSV技术简介 3.叠层型3D封装 封装内的裸片堆叠（图a） 封装内的封装堆叠或称封装堆叠 （图b） TSV技术简介 图b 图a 3D封装按照封装堆叠及IC裸芯片焊