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微米级线宽双台面套准精度的研究 王雯1陈刚1,2陈谷然1李理1 1南京电子器件研究所 2微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，210016 摘要：在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重 要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转 移。由于台面线宽在微米量级，因此套准精度控制不好就会造成SiC器件的短路问题。本论文通过对厚层介质掩膜下小台面与 其上大台面光刻套准精度的研究，得到了优化后的光刻条件，使大台面与小台面之间的图形转移偏移量由lOOnm降至20nm以内， 刻蚀后形成的SiC大台面与小台面套准良好，用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。 关键词：4H碳化硅；套准精度；光刻胶；介质 TN305.7;TN386.3 ，}十七囊仝■化音■，半导俸、徽溲■l件和光·t■l件掌术●-议 度为0．4um、线宽为0．5um，大台面的线宽设因为光刻要求圆片表面上存在的图形与 计1．Oum宽，由于采用金属掩膜进行二氧化掩模版上的图形准确对准【2l，也就是要求圆片 硅的刻蚀，因此金属掩膜的宽度要求为lum。上已经制备的小台面图形应与掩膜版上的大 剥离完成后的lum的金属掩膜与0．5um的小台面图形准确对准，套准偏差是由掩膜版和 台面要求套刻精确。金属掩膜的制作是采用 圆片之间不良的对准引起。而掩膜版和圆片 正性光刻胶AZ?908进行光刻，在需要进行金 表面图形套准通过光刻标记来实现，因此光 属掩膜的地方光刻露出窗口，然后电子束蒸 刻机对光刻标记的识别精度直接影响着光刻 发Ni金属lOOnm，最后采用剥离(1ift-off) 机的套准精度。stepper光刻标记的深度为 工艺将光刻胶去除，只留下金属Ni掩膜。 120nm，而生长在圆片上的介质是2um，这么 其次，我们针对光刻中出现的套准偏移 厚的介质必然对标记的识别造成了严重的误 问题进行了统计分析，并且进行偏差校准， 差，因此，我们通过对光刻机中曝光的程序 得到精确的套刻图形。 进行多次偏移修正调整，然后再进行光刻试 在制造SiC静态感应晶体管和结型场效验，改进光刻后的扫电图如图4所示，偏移 应晶体管等器件中双台面的工艺中需要精确 有明显的改善。 控制金属掩膜和小台面的套刻精度，这是影 响器件性能的重点要素，图1是SiC静态感 应晶体管和结型场效应晶体管器件小台面生 长介质后进行大台面光刻后的剖面示意图。 在光刻工艺中，需要控制大台面的线宽以及 2um厚度二氧化硅介质情况下大台面和小台 面图形之间的精确对准，并且保证工艺稳定 性及重复性，以提高器件的台面上源与台面 下栅之间的击穿。 图2、曝光偏移调整前扫电图，套刻明显偏移 光刻胶 小台向 L．、■几■J 宙 矗 介圈质 离 图I、SiCSIT剖面 3结果与讨论 如图2所示，发现大台面的光刻窗口相 图3、曝光偏移调整前金属掩膜图形，出现明娃偏移 对于小台面有明显的偏差。图3为进行Ni蒸 发剥离后的表面形貌图形，可以看出，金属 掩膜相对于小台面出现了明显的偏差，这将 对后续的大台面刻蚀有着严重的影响。针对 这一现象，我们进行了多次实验，通过统计 数据发现每次的套准偏移都是偏向同一个方 向，而且偏移位移都在lOOnm左右，因此判 断并非机器本身的套准偏差问题，而是由于 厚二氧化硅介质层引起的套准偏差，是可以 通过编程进行优化的。 图4、曝光偏移调整后扫电图 53l ，I．-p七一仝■化古物半导俸、散敢-件和光电器件掌术●-议 图5为我们在调整前、后，光刻图形套 最终制造出的双台面结构SiC器件的直 准偏移的数据统计图，从图中我们可