半导体作业全部题解2009.pptVIP

对于受主参杂型半导体： 同理可得： 6.1 解： 题设条件满足小注入条件下的n型半导体材料 6.6 解： 根据空穴连续性方程： 稳态条件下： 整理连续性方程得： 代入相关数据： 6.10 证明： 令： ① ② 由②-①得： 稳态条件下有： ③ ④ 将④代入③得： 6.11 解： 由 根据小注入条件下，n型半导体的双极输运方程： ① 由于过剩载流子均匀产生，故浓度梯度为0，上述输运方程简化如下 解此微分方程得： ② 将②代入①得： 故： 6.15 解: (a) (b) 由 故 6.31 解： (a) (b) 由 7.5 7.7 7.16 (a) (b) (c) 7.17 (a) (b) (c) (d) 第一章 固体晶格结构 * * 第三章 固体量子理论初步 习题解析： 3.15 (a) 由 知：有效质量 与E～k曲 线的二阶导同号 所以：A、B、C、D四点的有效质量符号分别为负、正、正、负； （b）由 知：波矢与自由粒子速度同向 或者 即速度方向取决于E～k 曲线的斜率正负。 所以A、B位置处粒子向负方向运动；C、D位置处粒子向正方向运动。 3.18 (a)根据题意有： 将有关数据代入可得： （b）对应波长为： 3.26 由导带电子有效状态密度 价带空穴有效状态密度 将 代入（1）；将 代入（2） 二式相比可得 (2) (1) 3.43（此题不符合实际） 由 将 代入上式得 T= -461.78K 4.6 解：根据 由 将 与 代入上式得 4.10 解： 由 Si 1.08 0.56 GaAs 0.067 0.48 Ge 0.55 0.37 代入上式得 （eV） Si -0.013 GaAs 0.038 Ge -0.0077 4.22 解： 由 T=300K,取 (a)将 代入（1）式得 (b)根据课本P82 图4.2可得T=400K时， 代入（1）式可得 (c)由 ，将上述数据代入得 T=300K时， T=400K时， （1） * 4.31 解： 由 分别取：T=300K时， ； T=400K时， ； T=500K时， （此值为查P82图4.2获得）。 注：在未特别强调禁带宽度不变的情况下，式4.23（P80）是不宜用于求本征载流子浓度的 将题设数据代入得 (a)