第1章 常用半导体器件（3）1.3三极管.pptVIP

§1.3 双极型晶体管 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A PCM = ICM UCEM 晶体管 过耗曲线 晶 体 管 正 常 工 作 区 晶体管过耗区，为晶体管非工作区。 2）最大集电极电流 ICM 在一定条件下，晶体管允许通过的最大电流。 3）极间反向击穿电压UCBO 、UCEO 晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间允许加的最高反向电压。 五、温度对晶体管参数的影响（P36)： 温度升高： ICBO （集电极---基极反向饱和电流） 增大，导致ICEO （穿透电流）增大； IB增大，导致IC增大 UBE减小（负温度系数）。 0.7V 4V 0 0.7V 0.3V 0 0 4V 0 【例1】判断以下三极管的工作状态。 放大 饱和 截止 六、例题分析 【例2】现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如下，各晶体管开启电压均为0.5V。试判断各管的工作状态。 放大 放大 饱和 截止 1 – 3 - * * 模拟电子技术基础 信息科学与工程学院·基础电子教研室 内容回顾 半导体二极管： 1、二极管的符号： D D 2、伏安特性 U I 导通压降: 二极管导通 反向击穿电压UBR 死区电压： 二极管截止 正向导通 正向截止 反向截止 二极管的工作区 二极管非工作区 反向电压 3、二极管的主要参数 1.最大整流电流IF 2.最高反向工作电压UR 4、二极管的等效电路 5、稳压二极管及应用 1）稳压管符号 2） 稳压管的伏安特性曲线 3） 稳压管的主要参数: ①稳定电压UZ ②稳压电流IZ ③额定功耗PZM 4） 稳压管的稳压条件: （1） 必须工作在反向击穿状态； （2） 流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。 §1.3 双极型晶体管（又称为三极管、晶体管） 一、晶体管的结构和类型 1、晶体管结构：三层半导体、两个PN结、引出三个极，构成晶体管。 NPN型 基区 发射区 集电区 发射结 集电结 发射极 基极 集电极 b e c 发射极箭头的方向 为电流的方向 b P N P 集电极 基极 发射极 c e PNP型 b P N P c e PNP型 b N P N c e NPN型 14 2、晶体管的内部结构特点（晶体管具有电流放大作用的内部条件） 1）集电区与发射区的半导体类型相同。但是 集电区的半导体掺杂浓度低，几何尺寸大； 而发射区的半导体掺杂浓度高，几何尺寸小。 2）基极很薄而且掺杂浓度低。 正是晶体管这些内部结构特点，使得晶体管工作时载流子遵循一定的分配原则，具有了电流放大作用。 3、晶体管的类型： 1）按结构分：NPN 、 PNP 型晶体管； 2）按组成材料分：硅晶体管、锗晶体管； 3）按功率分：小功率管、大功率管； 4）按频率分：高频率管、中频率管、低频率管。 二、 晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真的放大输出，放大的对象是变化量。 ** 1、 晶体管工作在放大状态的外部条件： ①发射结正向偏置； ②集电结反向偏置。 共射放大电路 晶体管的放大作用表现为：小的基极电流可以控制大的集电极电流。 1）发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2）扩散到基区的自由电子与空穴的复合形成基极电流IB 3）集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC IB IC IE 2、晶体管内部载流子的运动(三个极电流的形成） N P N 3、晶体管的三个极电流分配原则及关系 1）根据电路的节点定律： IB IC IE 3、晶体管的三个极电流分配原则及关系 2）根据晶体管内部结构形成的电流分配原则： 共射直流电流放大系数，取值范围在20~200之间。 IB IC IE 3、晶体管的三个极电流分配原则及关系 由于基极电流 IB集电极IC；或 ： 3）根据以上电流关系： IB IC IE **晶体管三个极电流关系： IB IC IE IB IC IE ------共射直流电流放大系数 ------共射交流电流放大系数 一般认为： 通常有两种电流放大系数： 三、晶体管的共射特性曲线 UCE IC + - UBE IB + - 实验线路 mA ?A V V RB VCC VBB RC 1. 输入特性（晶体管IB 与UBE 的关系曲线） iB(?A) uBE(V) 20 40 60 80 0.5 1.0 工作压降： 硅