第1章 物质中光的吸收和发射.pptVIP

第一章 物质中光的吸收和发射 1.1 光学的基本物理常数 1.光的吸收是物质普遍性质。 吸收系数 1.1 光学的基本物理常数 2.麦克斯韦方程组 非磁性电中性介质中，ρ=0，M=0 物质方程 线性光学的基本方程，波动方程，描述各向同性均匀介质中的光学现象，衍射，干涉 2）求解波动方程，单色平面波 式中虚数部分为极化电流，不消耗电磁场能量. 实数部分符合欧姆定律，j=σE，得到σ=ωε0ε2(ω),单位时间电磁场消耗在电偶极子上的能量，即单位时间介质吸收的能量为 4.折射率、介电系数、电导率 1) 折射率 吸收介质中 3)固体中光的吸收系数 ①σ=0，χ=0，n为实数，入射光没有衰减 ②σ≠0，χ≠0， n为复数，入射光有衰减 4)垂直入射的情况下，表面的反射系数为 1.2 气体中光的吸收和发射 1.2.1 气体中光的吸收 地球大气的吸收特性 α~λ 地球大气1-5 μm有7个大气窗口，8-14μm 1.2.2 气体中光的发射 发光过程 1）激发；2）发射 1）激发 热激发、射线激发、放电激发、光激发 气体放电中 第一类非弹性碰撞e*+A→A*+e 第二类非弹性碰撞A*+e → e*+A A*+B →A+B*+ΔΕ 共振俘获激发 A1* →A1+h? h?+A2 →A2* 2）发射过程 发射光谱：与原子种类、气体压力等有关 简单讲，原子气体发射线光谱，双原子气体发射带光谱。 荧光：激发停止以后，所激发的光立即消失。 磷光：激发停止以后，所激发的光仍能保持一段时间。 余辉：任何形式的发光都存在一定的衰减过程。 1.3 固体中光的吸收 概述 1.基本吸收区 2.激子吸收 3.自由载流子吸收 4.声子吸收 5.杂质吸收 6.自旋波量子吸收和回旋共振吸收 1.3.1本征吸收 半导体吸收一个能量大于禁带宽度的光子，电子由价带跃迁到导带，称本征吸收 两种半导体：直接带隙半导体 间接带隙半导体 两种跃迁 直接跃迁：仅涉及一个（或 多个）光子的吸收。 间接跃迁：还包含声子的吸收 1.直接跃迁 1)允许的直接跃迁 是在两个直接能谷之间的跃迁，仅垂直跃迁是允许的 能量守恒 Ef=hν- | Ei | 动量守恒 抛物线能带 直接跃迁情况下，吸收系数α＝AWifN(hν) Wif为跃迁几率，所有跃迁都是许可的情况下，Wif是常数，则αd＝B(hν-Eg)1/2,其中 直接跃迁的吸收系数随频率的变化 （1）允许的跃迁 （2）禁止的跃迁 3)布尔斯坦-莫斯移动 重掺杂半导体的本征吸收限向高频方向移动，布尔斯坦－莫斯移动 2.间接跃迁 间接带隙，导带最低状态的k值与价带顶最高能量状态的k值不同，跃迁过程要引入声子的吸收和发射过程 能量守恒hν±Ep=Eg 动量守恒 间接跃迁的吸收系数 αi=αe+αa 其中αe和αa分别为声子发射和吸收引起的贡献 3.电场和温度对本征吸收的影响 1）电场的影响 半导体放在电场E中能带发生倾斜，产生隧道效应 夫兰茨－凯尔迪什效应 入射光子hνEg时，势垒有效宽度减小为 当入射光子hνEg时,电场对吸收系数的影响比较复杂,吸收光谱表现为起伏依从的曲线. 斯塔克效应—有电场时原子发射谱线发生移动和分裂 吸收系数 2)温度的影响 大多数半导体的禁带宽度随温度的升高而减小，少数半导体的禁带宽度随温度的升高而增加，从而影响本征吸收限 1.3.2 激子吸收 基本吸收中，认为被激发电子变成了导带中自由粒子，价带中产生的空穴也是自由的。但是受激电子与空穴会彼此吸引(库仑场)，有可能形成束缚态，称为激子。电中性 能在晶体中自由运动的激子称自由激子，又称瓦尼尔(Wannier)激子。不能自由运动的激子称束缚激子，又称弗伦克尔(Frankel)激子。 激子的产生是由于入射光子能量不足以使价带电子跃迁到导带，受激电子受到价带空穴束缚。束缚能 分立的激子吸收谱线必须在低温、纯样品和高分辨率测量仪器下才能观察 （Cu2O(4k), GaAs) 激子的波尔半径 rB=0.053nm, 氢原子的波尔半径 载流子浓度较高的半导体、半金属和金属中没有激子存在——载流子对激子的屏蔽 间接带隙半导体，激子光吸收有声子参加，间接声子形成能 1.3.3 杂质吸收 三个方面 1）从杂质中心的基态到激发态的激发，可引起线状吸收谱。 2）电子从施主能级到导带或从价带到受主能级的吸收跃迁 红外区 3)从价带到施主能级或从被电子占据的受主能级到导带的吸收跃迁。 几率小。 浅受主能级到导