刘恩科半导体物理课后习题答案_第8章唯一版.pptVIP

PowerPoint2003 第八章 8－1 8－2 8－3 8－4 8－7 8－8 8-9 8－10 ②a： 时的反向电流 b: 时的反向电流 由（1）知强反型时 。 即 栅下n型表面处为强反型状态——少子空穴堆积 界面态表面产生电流 表面耗尽区产生电流 反向电流 时的反向电流 ③a： 时流 结的正向电 n区表面为多子积累状态，只考虑 冶金结的正向扩散电流和复合电流即可；又因是 结，可视为单向注入，即主要是空穴扩散电流。 结的势垒复合电流 时 b: 时的 在（1）求过强反型时： ,显然为n型表面强反型。 未加冶金结电压时，强反型表面势为 。 冶金结加上正向偏压后表面势降低为 场感应结 * 半导体物理学习题 第八章 8－1 8－2 8－3 8－4 8－7 8－8 8－9 8－10 导出使表面恰为本征时的表面电场强度，表面电荷密度 和表面层电容的表达式（P型硅）。 解答： P型硅， 能带不弯， ，表面本征时， ， 由公式8-17得， 由公式8-18得， 其中 P型硅表面本征，能带下弯， 返回 解答： 返回 对于MOS电容， 的厚度为 ,n型硅， ，计算室温 下的平常电容 解答： 返回 导出理想MIS结构的开启电压随温度变化的关系式。 解答： 与温度无关， 返回 计算下列情况的平带电压的变化： ①氧化层均匀分布正电荷； ②三角行分布，金属附近高，硅附近低； ③三角形分布，金属附近低，硅附近高。 并假设单位面积的总离子数为 ， 氧化层厚度为 0.2 ， 解答： ①电荷均匀分布，面密度 ② ③ ………………体电荷密度 返回 试导出下列情况下快表面态中单位面积电荷的表达式： ① 位于禁带中央处 ； 的单能级表面态，单位面积内的 表面态数为 ② 均匀分布于整个带的表面态，即 （以上两题，假定表面态是受主型的，即当该表面态被 一个电子占据时带负电，空着时为电中性）。 解答： 单位面积上的电荷量为 电子的分布函数为： ② 电子占据能量为E得表面态的几率为： 讨论：①对于本征半导体 ②对于一般半导体 对于非简并p型或n型总有 返回 对 ，氧化层厚度 的硅栅控 二极管，计算 下其开启电压 与反压的关系。取 解答： 返回 （硅） 栅控二极管，其冶金结面积为 ； 衬底杂质浓度 ，结深 ，氧化层厚度 寿命 ，表面复合速度 ；平带电压 ;栅极与n型区重叠面积为 。试计算： ①衬底表面分别为本征和强反型时的栅电压（室温下结 电容为零时）； ② ， ③在与②同样的栅压下， ，正向电流和栅电压的函数关系。 解答： ① 上面式相等 ，开方，取对数得 *