硅半导体探测器灵敏区厚度的测定.pdfVIP

第七届全国高压加速器技术与应用学术交流会 硅半导体探测器灵敏区厚度的测定 任晓堂 华景山 蒋正元 谢大林 北京大学重离子物理研究所 北京大学核物理与核技术国家重点实验室 100871 【摘要】金硅面垒半导体探测器灵敏区的厚度对正确测量待测带电粒子的能谱至关重要。 随着所加反向直流偏压的增加，金硅面垒半导体探测器灵敏区的厚度也随之增加。本文主 要介绍了通过实验对金硅面垒半导体探测器灵敏区厚度的直接测定，即利用金硅面垒半导 体探测器在不同的反向直流偏压下对不同能量的入射质子进行探测，然后对所得的实验能 谱进行分析，从而得到不同反向偏压下金硅面垒半导体探测器灵敏区的厚度，其与半经验 1/2 公式d≈0.5(ρV)计算得到的结果相比较，二者吻合的非常好。 n n 使用金硅面垒半导体探测器对带电粒子进行探测时需要在探测器的 P-N 结上施加合适 的反向直流偏压。如果反向直流偏压过低，则探测器的灵敏区厚度较薄，结果有可能使待 测带电粒子穿过整个灵敏区而未能停止，使得带电粒子消耗在探测器灵敏区