基于多孔硅牺牲层的线列氧化钒非制冷红外探测器制备.pdfVIP

第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集 基于多孔硅牺牲层的线列氧化钒非制冷红外探测器制备 王彬1-一，赖建军L2，赵二景，陈四海 (1．华中科技大学光电子科学与工程学院，湖北武汉430074；2．武汉光电国家实验室，湖北武汉430074) 摘要：非制冷红外探测器广泛应用于消防，汽车夜视，监控和军事等诸多领域．而氧化钒非制冷红 外探测器具有高电阻温度系数、室温下运行无需制冷的特点，是一类性能优异的热红外探测器。 采用电化学腐蚀多孔硅方法和两种不同流程制备了128元线列氧化钒非制冷探测器，增加了TiN 吸收层．分析了多孔硅牺牲层的反应机理并对两种流程的效果进行了比较． 关键字：非制冷红外；氧化钒；多孔硅 中图分类号：0436 Fabricationof LinearUncooledInfraredDetector Vex Array BasedonPorousSilicon’sSacrificial Layer