光电传感器应用技术 教学课件 作者 王庆有 第4章 第1节.ppt

第4章 光生伏特器件 4.1 硅光敏二极管 2、光电二极管的电流方程 4.1.2 光电二极管的基本特性 3. 光谱响应 4. 时间响应 4. 噪声 4.2 其他类型的光生伏特器件 4.2.1 PIN型光电二极管 2.工作原理 3.噪声 4.2.3 硅光电池 1. 硅光电池的基本结构和工作原理 3. 硅光电池的输出功率 4.光电池的光电转换效率 4.2.4 光电三极管 1. 工作原理 2. 光电三极管特性 2）时间响应（频率特性） 3）温度特性 4）光谱响应 1）伏安特性 图4-14所示为硅光电三极管在不同光照下的伏安特性曲线。光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。 光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。 光电三极管的时间响应常与PN结的结构及偏置电路等参数有关。为分析光电三极管的时间响应，首先画出光电三极管输出电路的微变等效电路。图4-15（a）所示为光电三极管的输出电路，图4-15（b）为其等效电路。 分析等效电路图，不难看出，由电流源Ip、基-射结电电阻rbe、电容Cbe和基-集结电容Cbc构成的部分等效电路为光电二极管的等效电路。 表明光电三极管的等效电路是在光电二极管的等效电路基础上增加了电流源Ic和基射结电阻Rce、电容Cce、输出负载电阻RL。 选择适当的负载电阻，使其满足RL＜Rce，这时可以导出光电三极管电路的输出电压为 （4-27） 光电三极管的时间响应由以下四部分组成： ① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间；② 光生载流子渡越基区所需要的时间； ③ 光生载流子被收集到集电极的时间； ④ 输出电路的等效负载电阻RL与等效电容Cce所构成的RC时间； 总时间常数为上述四项和。 硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要比硅光电二极管大得多，图4-17（a）所示为光电二极管与三极管暗电流Id与温度的关系曲线，随着温度的升高暗电流增长很快； 图4-17（b）所示为光电二极管与三极管亮电流IL与温度的关系曲线，光电三极管亮电流IL随温度的变化比光电二极管亮电流IL随温度的变化快。 * 具有光生伏特效应的半导体材料有很多，例如硅（Si）、锗（Ge）、硒（Se）、砷化镓（GaAs）等半导体材料。利用这些材料能够制造出具有各种特点的光生伏特器件，其中硅光生伏特器件具有制造工艺简单、成本低等特点使它成为目前应用最广泛的光生伏特器件。 硅光敏二极管是最简单、最具有代表性的光生伏特器件，其中，PN结硅光敏二极管为最基本的光生伏特器件。 4.1.1 硅光敏二极管 1、光敏二极管的基本结构 光敏二极管可分为以P型硅为衬底的2DU型与以N型硅为衬底的2CU型两种结构形式。如图4-1（a）所示的为2DU型光敏二极管的原理结构图。 图4-1（b）为光电二极管的工作原理图 图4-1（c）所示为光敏二极管的电路符号，其中的小箭头表示正向电流的方向（普通整流二极管中规定的正方向），光电流的方向与之相反。图中的前极为光照面，后极为背光面。 在无辐射作用的情况下（暗室中），PN结硅光电二极管的正、反向特性与普通PN结二极管的特性一样，如图4-2所示。其电流方程为 （4-1） ID为U为负值（反向偏置时）且 时(室温下kT/q≈0.26mV，很容易满足这个条件)的电流，称为反向电流或暗电流。 当光辐射作用到如图4-1（b）所示的光电二极管上时， 光电二极管的全电流方程为 式中η为光电材料的光电转换效率，α为材料对光的吸收系数。 （4-2） 由式（4-2）光电二极管的全电流方程可以得到如图4-3所示的光电二极管在不同偏置电压下的输出特性曲线，这些曲线反应了光电二极管的基本特性。 普通二极管工作在正向电压大于0.7V的情况下，而光电二极管则必须工作在这个电压以下，否则，不会产生光电效应。 光电二极管的工作区域应在图4-3所示的第3象限与第4象限，很不方便。 在光电技术中常采用重新定义电流与电压正方向的方法把特性曲线旋转成如图4-4所示。重新定义的电流与电压的正方向均以PN结内建电场的方向相同的方向为