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半导体物理 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 张 宇 峰 绪 论 本课是一门重要的专业基础课 了解半导体物理的基础理论，物理概念和主要性质。 掌握研究半导体基本原理和测量技术的基本方法，为从事光电子技术、半导体器件、传感器及应用、集成电路等方面的工作打下必备的基础。 本课程讨论的主要对象 —典型的半导体(Si,Ge,GaAs, ……) 本课程讨论的基本问题— ? 材料的基本物理性质: 晶体结构;能带结构;电子基本运动状态; (固体物理、第一章) ? 半导体中的载流子(电子,空穴)及其运动状态: p型,n型半导体; 电场,磁场中的载流子; 非平衡载流子; (第二、三、四、五章) ? 器件物理基础: PN结; M/S接触;MOS结构; (第六、七、八、九章) 物理 (对物理问题更深入,更专门的讨论): 高等半导体物理; 半导体理论; 半导体表面物理; 非晶态半导体物理; 半导体光学 …… 材料 (材料性质,应用的物理模型,材料制备,新材料的研制): 体材料; 薄膜材料; 微结构材料; 人工设计材料;…… 器件 (器件物理; 器件原理; 器件工艺): 电子器件(双极型器件,MOS器件,各种特种器件); 光电子器件(激光器,发光管,光电转换器件); 其他各种效应的应用(热电,压电 ……) 半导体集成电路— 集成电路原理及其设计(线路设计,版图设计,工艺设计); 集成电路中的物理问题,材料问题…… 一些具体问题的说明 教材— 刘恩科，《半导体物理》1994年版 作业— 15% 做习题的目的是帮助理解课程内容,且应用之讨论问题,解决问题. 上课— 提倡记笔记.(看自己记的笔记有助于理解,思考) 考试（闭卷）— 70% 范围在平时就会交代, 重点是应该自己找的.千万不要寄希望于考试前套磁和复印别人的笔记,作业. 出勤问题— 15% 教材及主要参考书 教材： 《半导体物理学》刘恩科等编著 电子工业出版社（第四版）2002年 参考书： （1）Donald A.Neamen: Semiconductor Physics and Devices（U.S.A.） （2）Robert F.Pierret: Semiconductor Device Fundamentals(Part1) （3）Chih-Tang Sah： Fundamental of Solid-State Electronics（U.S.A.） （4）钱佑华，徐致中：《半导体物理》 （5）叶良修：《半导体物理学》 （6）李名復：《半导体物理学》 （7）夏建白：《现代半导体物理》 第一章 半导体中的电子状态 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。 定性介绍能带理论，利用Schrodinger方程 和Kroning-Penney模型近似推导关于半导体 中电子的状态和能带特点。阐述本征半导体 的导电机构，引入了空穴的概念。最后简单 介绍几种半导体材料的能带结构。 §1.1半导体中的电子状态和能带§1.1.1 原子中的电子状态 1 氢原子电子状态 2 多电子原子的电子状态 与氢原子一样是量子化的，电子状态取决于四个量子数 （1）量子数（n, l, ml, ms） （2）简并度（能级可能有的微观状态） （3）电子填充（泡利不相容原理和能量最低原理） §1.1半导体中的电子状态和能带§1.1.2 晶体中的电子状态 1、共有化运动 概念：原子组成晶体后，电子壳层将发生交叠，由于相同壳层上的电子具 有相同的能量，所以电子可以从一个原子转移到另一个原子上去，从而电 子可以在整个晶体中运动 §1.1半导体中的电子状态和能带§1.1.2 晶体中的电子状态 互相靠近时，原子中的电子除受本身原于的势场作用，还受到另一个原子势场的作用 能级将分裂为二个彼此相距很近的能级；两个原子靠得越近，分裂得越厉害。 图 (b)示意地画出了八个原子互相靠近时能级分裂的情况。可以看到．每个能级部分裂为八个相距很近的能级。 §1.1半导体中的电子状态和能带§1.1.2 晶体中的电子状态 3. 能带的形成 当N个原子彼此靠近时，原来分属于N个原子的相同的价电子能级必然分裂成属于整个晶体的N个能量稍有差别的能带。 §1.1半导体中的电子状态和能带 §1.1.3 电子在周期场中的运动——能带论 §1.1半导体中的电子状态和能带 §1.1.3 电子在周期场中的运动——能带论 1.自由电子的运动状态 对于波矢为k的运动状态，自由电子的能量E，动量p，速度v均有确定的数值。