GaAs基1.3微米高性能InAs量子点激光器探析.pdfVIP

MBE2013 专题邀请报告 IS3 GaAs 基1.3 微米高性能 InAs量子点激光器研究 杨涛、季海铭、杨晓光、罗帅、王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京912 信箱，100083 tyang@semi.ac.cn 新一代高速光通信网络的城/局域网迫切需要低成本、低功耗、高性能长波长半导体激 光发射光源。可是，目前市场上主流的光通信用长波长半导体激光光源，例如 InP 基 1.3 微米量子阱激光器，很难满足这些要求。特别是，该激光器有一致命缺点：输出随温度明显 变化，为了保持激光器输出随温度变化稳定，需要外加致冷和控制装置，这势必会导致器件 制作成本以及功耗显著增加，同时也不利于激光器与其他光子器件集成。 GaAs 基1.3 微米InAs 量子点激光器作为替代上述量子阱激光器的有力候选者之一，已 吸引了科学家们极大的兴趣，是目前国际上研究的热点。由于半导体量子点三维限制载流子 运动的能力，半导体量子点激光器比传统的量子阱激光器具有低的阈值电流密度、高的微分 增益、小的频