HgCdTe%2fSi分子束外延材料地多种热退火抑制位错研究.pdfVIP

HgCdTe/Si 分子束外延材料的多种热退火抑制位错研究 沈川，陈路，傅翔良，王伟强，王莹，张彬，王高，杨凤，何力 中科院上海技术物理研究所 采用Si基HgCdTe材料制备大规模红外焦平面器件是解决热可靠性问题的有效途径之一， 但其高密度的位错是制约获得高性能器件的主要因素。高温热处理作为一种能较有效改善 HgCdTe 外延中位错密度的方法受到较多的研究关注。前期研究基于Masafumi 等人关于 GaAs/Si 材料在热退火过程中的简单位错运动模型，运用任意坐标系应力与应变的关系，在 考虑材料各向异性的前提下，对满足一般双轴应力模型边界条件的异质结构，建立了 HgCdTe/CdTe/GaAs （or Si）热失配应变和应力分布模型，获得热退火过程中HgCdTe 外延薄 膜内部的应力分布情况，从而进一步得到该外延薄膜材料在热退火过程中的位错运动反应模 型。 本文基于改进模型，分别研究单次长时间热退火方法、循环热退火方法以及微台面热退 火方法等对Si 基HgCdTe 外延材料位错的抑制作用。通过研究获得了适用于HgCdTe/Si 材料 的不同热处理方式下的最优退火条件。同时，通过不同热处理方式的对比分析，发现了不同 效果的抑制位错现象,比较了不同退火条件的位错抑制作用，并进