IV族元素纳米管地电子性质研究.pdfVIP

全国博士生学术论坛《物理学)中国科学院研究生院北京 20磅@6 DoctoralForumofChinainPhysics，G UCAS，Beijing IV族元素纳米管的电子性质研究 杨小宝1，倪军1 1．清华大学物理系，北京(100084) 文摘：自从碳纳米管被发现以来，其独特的电学性能引起大家的广泛关注。一般的单 壁碳纳米管可以看成是由石墨jf￡面卷曲形成，管的半径和卷曲方式对碳管的电导性质起 决定性作用。单壁碳纳米管既可以是金属，也可以是具有不同带隙的半导体(包括直接 和间接带隙)。IV族元素有相同的最外层电子排布，有很多相似的性质。Si和Ge是重 要的半导体材料，在电子元件等相关领域有着重要的应用，实验和理论对Si，Ge的纳 米线和纳米管的研究相当丰富。 关键词：纳米管；电子性质；紧束缚模型：第一原理计算 一般认为，Si和Ge的印3杂化比印2强很多，没有和石墨一样的平面六角结构，也 很难像碳管一样通过石墨卷曲形成单壁纳米管。有报导称单壁