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- 2018-03-26 发布于广东
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半导体三极管 第 2 章 (Semiconductor Transistor) 2.1.1 BJT 的结构 2.1.2 BJT 的电流分配与放大原理 2.1.3 BJT 的特性曲线 2.1 双极型三极管 2.1.4 BJT 的使用常识 2.1.1 BJT的结构 一、结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 基 区 发射区 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类: 按材料分: 硅管、锗管 按结构分: NPN、 PNP 按使用频率分: 低频管、高频管 按功率分: 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B BJT 外形和引脚 E B C E C B E B C B E C E B C 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏: UC UB UE 集电结反偏: UC UB UE BJT与电源连接方式 NPN Rc VCC IB IE Rb + UBE ? + UCE ? VBB c e b IC 输入回路 输入回路 PNP Rc VCC IB IE Rb + UBE ? + UCE ? VBB c e b IC 2.1.2 BJT 的电
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