模电电子教案教学课件作者周良权11课件幻灯片.pptVIP

半导体二极管 第 1 章 1.1　半导体二极管 (Semiconductor Diode) 1.1.1　 PN 结及其单向导电性 1.1.2　半导体二极管的构成与类型 1.1.3　半导体二极管的伏安特性 1.1.4　半导体二极管的使用常识 1.1.1 PN结及其单向导电性 一、基本概念 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 本征激发 — 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 自由电子(带负电) 空穴(带正电) 电子空穴成对出现，数量少、与温度有关。 两种载流子 N型半导体 — 在本征半导体硅或锗中掺入微量五价元素，如磷、砷（杂质）所构成。 正离子 多数载流子 少数载流子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 P型半导体 — 在本征半导体硅或锗中掺入微量三价元素，如棚、铟（杂质）所构成。 负离子 多数载流子 少数载流子 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 电中性 二、PN结的形成 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 交界面形成空间电荷区(PN结)，建立内电场 空间电荷区特点: 无载流子， 阻止扩散进行， 利于少子的漂移。 3. 扩散和漂移达到动态平衡，形成PN结。 扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 内建