模拟电子技术教学课件作者第4版胡宴如教学课件371ch11二极管的特性及主要参数幻灯片.pptxVIP

1.1　二极管的特性及主要参数 1.1.1　半导体的基本知识 1.1.2　二极管的结构与类型 1.1.3　二极管的伏安特性 1.1.4 二极管的主要参数 一、本征半导体与两种载流子 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的单晶半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 硅(锗)的原子结构 简化 模型 硅(锗)的共价键结构 自 由 电 子 (束缚电子) 空穴可在共 价键内移动 本征激发： 复 合： 　　自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 漂 移： 　　自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 　　在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 两种载流子 电子(自由电子) 空穴 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 二、 杂质半导体 掺入杂质后的本征半导体称为杂质半导体 1、N 型半导体 本征半导体中掺入五价元素后形成以自由电子为多数载流子的杂质半导体（空穴为少数载流子） 2、P