添加MgLiSi玻璃对BNT陶瓷的介电性能和耐压强度的影响.pdfVIP

2008年中国电子学会第十五届电子元件学术年会 i S 添加MgLi玻璃对BNT陶瓷的介电性能和耐压强度的影响 吉岸1刘祥峰2袁纪烈3 (1：同方股份有限公司北京100084) (2、3：山东同方鲁颖电子有限公司 山东276300) 擅要：采用传统的烧结工艺，制备了添加不同M90·Li，0·Si0：玻璃(后文简写为MLS) 组分对BNT(114)陶瓷瓷科的烧结温度．显徽结构、昌粒形态、介电常数以及耐压强度的影响。 构、介电性能和耐压强度都发生了显著的变化．当MLs玻璃的添加百分含量为4wt％时，可 获得最佳的介电性能：介电常数￡=95，介电损耗tg65×10一，耐压强度15kV／m。 关键词：BNT陶瓷，o介电性能；耐压；烧结温度 1引言 随着多层片式电容元器件(M以℃)技术的日益发展和应用环境的变化，MLCC电容的制 备方向越来越趋向于超小型、环保和高可靠性，同时还伴随着降低生产成本的要求。因此研发 具有温度稳定性、耐高压、无铅和高介电常数的电容陶瓷材料的工作越来越受到重视。目前在 生产和制