AlxZn1-xO合金光电探测器研究.pdfVIP

四|lI省电子学会传感技术专委会第11届学术年会会议论文 AlxZnl。xO合金光电探测器研究 韦敏李杰邓雪然邓宏 (电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都610054) MSM结构光电探测器。AZO合金薄膜对紫外和可见光有高于80％的透过率，随Al含量增加，光学吸 收带边呈蓝移趋势，且其电流与电压特性呈现出越来越明显的势垒效应，表明Al含量的增加引起AZO 薄膜表面态的变化，从而改变了金半接触特性．当AI组分为30at％时，其电阻率达到最大值 1．3X10h．cm，这种样品制作的探测器在5V偏压下暗电流为14nA，在紫外光照射下光暗电流比达到10 器件的光谱响应测试表明Si基的Alo．3zno．70探测器在紫外及可见光区都有明显响应． 【关键词】：AIxZnl．xO；三元合金；MSM；光谱响应 l 引言 近年来，GaN及其合金体系成功地应用于商用蓝光LED，激光器和紫外光探测器等领域，而ZnO 材料因为与GaN材料体系相近，作为一种有潜力的新型光电材料受到普遍关注，其中ZnO基三元化合 物半导体材料对于带隙的调制极为重要，如MgxZnl。O合金具有与纯ZnO相近的优异的光学和电学性 光探测器，对其紫外敏感特性进行了测试，研究不同Al组分对AZO合金薄膜光电性能的影响。 2实验 实验所用靶材为纯度99，9％氧化锌粉和纯度99．99％氧化铝粉按5％，10％，30％的原子比混合烧制 而成的陶瓷靶。靶与基片距离为80mm。基片为单面抛光的Si基片，在重铬酸钾洗液中浸泡1小时，然 后用丙酮和无水乙醇分别超声清洗5min，最后用去离子水冲洗并烘干。溅射过程中，衬底温度保持在 450C，生长室背底真空低于2．0X10一Pa，射频功率100W，把高纯Ar气(5N纯)和02气(5N纯)由质 量流龟计控制在40：40sccm的流量下输送到生长室，溅射时间为3h。采用Au作为接触金属，在真空度 2．0x 光度(UV-2550 测试探测器的电流电压特性和时间特性，采用卓立汉光ZLX．DR光谱响应测试系统测试探测器的相对光 谱响应。 3结果与讨论 透过率都高于85at％，其光学吸收带边随Al含量增加呈蓝移趋势，30at％薄膜的吸收边已经蓝移至 ％之间的AZO薄膜的表面电阻率测试结果，当Al含量小于2at％时，薄膜的表面电阻率随Al浓度增加 了ZnO晶体中的Zn2+并贡献额外的导电电子，提高了载流子浓度而导致电阻率的降低。之后薄膜的电 157 四JII省电子学会传惑技术专委会第11届学术年会会议论文 阻率随着Al浓度的进一步增加而增大，这是因为过多的Al掺入引起薄膜发生品格畸变，且掺入Al可 有效抑制薄膜中的氧空位，还有部分Al聚集在晶界成为自由电子在晶界迁移的障碍。当Al含量增加剑 30at％左右时，薄膜电阻率增加到最人值1．3×107n．cm。 一Eod善善-l ”¨¨””””w-．I． ^I。。o。。“tr．tI。“l’t％I w_volongth(nm) 图1不同Al组分AZO薄膜透光率曲线图2 AZO薄膜电阻率随Al含量变化曲线 MSM．PD与垂直结构的光电器件相比，制作工艺简单，且与平面结构的电子器件集成工艺相兼容 并且具有高响应带宽性能，是可用在OEIC中的重要器件。所以我们用AZO样品制作MSM结构的光电 探测器，其剖面结构如图3。通常情况下，MSM．PD的器件结构为两个背对背的肖特基势垒，工作时总 有一支二极管为反向偏置，所以器件本征电容小而且随电压变化不大