Zn1-zMgzO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究.pdfVIP

第十五届全田化。分物半导r谁、徽波器件和光电器件掌术。分议 TUE．ZnO—B05 Znl-。Mg。O合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究 单正平顾书林朱顺明 (南京微结构国家实验室和南京人学物理系，南京210093) 摘要：以MOCVD系统生长Zn．瑚g。0合金，通过改变Mg、zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn，朋g，0合金，其中Mg的固态含量从0 器，在特定的偏压下，Ti／Zno基紫外探测器在380nm具有最高响应度0．14A／W，Ni／Mg。”ZnoetO基深紫外探测器在327nm具有最高 响虑1．9×101A／W，并且其在紫外波长的峰值响应度均比iJ丁见光450nm处的响戍度高}H两个数量级。 关键词：MOCVD：Zn。一瑚910：紫外探测器 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： MOCVD andits onultraviolet Znl一。Mg。0 growth application detector in Zhu ZhengpingShan，ShulGu，Shunming National of (Nanjing Laboratorymicrostructure，Nanjinguniversity，Nanjing，210093，china) Abstract：Viathe ratioin MOCVD changingMg／Zn vaporphase，wesuccessfullydepositedZn,．xMgx0alloyby system．Theband—gap Eg canbemodulatedfrom3．3leVto5．02evwithxinsolidvariedfrom0toO．49．WethenfabricatedM-S·MUV-detector ofZnl．xMgxO the basedM—S—MUV-detectorwiththe ofO．14A／WandNi／ byusing sample，．Ti／ZnO highestresponsibility M＆Znl。O／sapphire basedM-S-MDUV-detectorwiththe of1．9‘104A／Wat327nmWLTe theUVto Mgo．36zIlo．“O highest fabricated，and responsibility ratioofaround couldbeextractedfromthe visible(450 twoorders spectra rim)rejection response． Key O，UV-detector words：MOCVD，Znt。Mg EEACC： 1引言 (x0．36)：当Mg含量增大到一定值 目前，GaN基LED，LD都实现了商品(x0．51)时为与NaCI相同的面心立方晶 化，但A1GaN，和InGaN合金中AIN和InN 体结构，Mg组分介于这两者之间 的组分比较低，一般不超过0．3，相比于III (0．36x0．51)时为混晶相晶体结构[3—4】。 族氮化物，ZnO是具有更为优越的光学性 目前对Znl-xMg。O的研究现在主要集中于采 质，MgO又具有比A1N更大的带隙，因此用脉冲激光沉积(PLD)[3】和激光分子束外延 Zn