硅漂移室室温低能X射线探测器的研制.pdfVIP

第11届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集 Detection Teehnology ElectronicsNuclear onNuclear Conference National thellth of Proceedi“gs 硅漂移室室温低能X射线探测器的研制 张万昌·，李 正2，赵灵娟3 (，中国原子能科学研究院，北京275信箱25分箱102413； 摘要：叙述了用高阻si制成的平面工艺漂移窒室温低能x射线探测嚣的结构以及信号收集电极 在不同偏置耐漏电流的变化。绘出了探铡器内部电位分布及电子浓度分布的两维计算机模拟图，由此可 清楚地看出x射线产生的电子在探铡器内部的漂移情况。还给出了在室温下单个圆形20ram。SDD对 5．9keY x射线的能量分辨率(FWHM=1．3keV)，并对结果进行了分析。 关键铘t漂移塞探测器}能量分辨率 又 制备的。有两种形状：圆形和正六角形。灵敏面 O引富 mm2 mm2以及5 积分别为3．5、5、7、10、20、25 自从1984年Gatti和Rehak发明了硅漂 移富探测器(SDD)后n]，SiSDD在核物理实验 的n型4”Si片，晶向111。 中作为径迹探测器得到越来越多的应用[1“]。 探测器的正面和背面都有保护环。正面还 si漂移室探浏器和普通的平面探测器相比，具 有调整内部电场分布的p+螺旋结构、信号电子 有一个明显的优点，就是其信号电极的电容与 收集电极、信号电极的保护电极(吸收表面电 探测器的灵敏面积无关，而只与电极的面积大 流)以及P+隔离环。为了得到线性的内部电势 小有关。这样就可极大地减小探测器的电容，从 分布，P+螺旋结构每一圈的电阻应尽可能相 而大大减小了串联噪声的贡献，提高了探测器 等“]。SDD的背面为均匀的P+注入层。图1～ 的能量分辨率。如何减小探测器信号收集电极 3分别给出了圆形探测器(10mm2)、SDD阵列 (5 的漏电流则是漂移室探测器的主要方向。 mm2×7)以及4”Si片上的器件分布图。 为了能更好地分离信号电极及信号保护电 极c5]，要把控制内部电场分布的P+螺旋结构与 信号电极和信号保护电极的P+隔离环分开．分 别给予偏置。 在这项工作中，我们制备了两种形状、不同 尺寸的SiSDD单个探测器以及SDD阵列探测 器，并对单个SDD探测器进行了直流特性测 量．并得到了对5．9keV X射线的能谱响应结 果。 l SDD的制备 图1 10mm2单个圆形SDD结构田 SDD与SDD阵列是采用si平面工艺技术 227 图3