平面型碲锌镉探测器的性能研究.pdfVIP

第六届全国核仪器及其应用学术会议论文集 ofthe6thNationalConferenceonNuclearInstrumentIts Proceedings Application 平面型碲锌镉探测器的性能研究 徐慧超1，成 诚2，李龙遐3，张金洲1，戴宁4，王 仍4 (1．中国科学院上海应用物理研究所，上海201800；2．公安部第三研究所，上海200031； 3．．1fmnel Tech公司．美国IN46619：4．中国科学院上海技术物理研究所，上海200083) 摘要：碲锌镉(CZT)是制作)c、丫射线探测器的理想半导体材料。由于具有较高的原子序数，高密度和宽禁带 的特性，制成探测器可以在无需液氮制冷的情况下实现高分辨率和高计数率的探测。上海应用物理研究所采用美国 Yumel 的相对分辨率，并且实际测量了一些元素的特征x荧光谱。本文将从漏电流，能量分辨率，极化效应，长期稳定性等 方面讨论平面型CZT探测器的特性，并就探测器的应用和技术改进方面加以讨论。 关键词：CdZnTe．CzT：探测器；工艺；性能；稳定性 在补丫射线探测领域，许多材料被用来制作 电阻率、室温运用漏电流更小、能量分辨率更高， 探测器，随着)C身寸线和丫射线分析探测技术在工 因而更受青睐。二十世纪九十年代CdTe和CZT 业、医学、天文物理等领域中的广泛应用，传统 晶体生长工艺迅速发展和突破，一些公司研发了 Tech 的硅、锗等半导体探测器也逐渐显现出某些不足 CZT、CdTe晶体、探测器商品。目前Yinnel 之处【ll[21。由于硅原子序数(14)小、密度较低公司用改进的垂直布里奇曼(MVB)方法成功 (2．339／cm3)对高能光子阻止本领低，因而限于生长了直径达到3英寸的高质量的探测器级CZT 低能区域使用，并需要液氮冷却和比较复杂的真 空冷却装置和特殊安装结构的前置放大器。锗虽 ‘ 然原子序数(32)较高，密度较大(5．339／cm3)领域的领先地位。(表．1)．[5-7l 因而阻止本领比较高，但其禁带宽度为0．67ev， 我们采用美国Yinnel Tech公司提供的材料 必须用液氮冷却以减小其漏电流，因此也需要复 杂的真空冷却装置和液氮容器。气体正比计数器 锌镉探测器，探测器的灵敏体积为(I)8x1．7mm3。 阻止本领差，适用于低能丫和)C荧光能区 在室温下，探测器的漏电流稳定在nA量级，其 (立0K“)。闪烁体与光电倍增管或光电二极管 组合，能获得高阻止本领但能量分辨率差。因此， 59．54keV．的相对能量分辨率达到2．37％ 人们一直期望开发一种新的具有高探测效率、高 (FWHM)。 能量分辨率又小巧方便(不用液氮冷却)的探测 1制作工艺 器。自上世纪七十年代以来，许多研究机构都在 取CdZnTe晶片用刚玉水浆抛光整个表面； 努力探寻合适的高原子序数、高密度和宽禁带的 再用化学抛光去除机械损伤层，文献中介绍的 化合物半导体或半绝缘体材料【3】，其中最受关注 CZT．的化学腐蚀剂有很多种，这里选用3％的溴 的是CdTe晶体和CdZnTe(也称CZT)晶体14】。相比 ．甲醇溶液(BM)；晶片在BM溶液中腐蚀2分钟 较而言CZT晶体禁带更宽，因此比CdT