单晶硅摩擦致相变地SEM研究.pdfVIP

电子显微学报JChinElectrMieroscSoe 2004年 23(4)：440—440 单晶硅摩擦致相变的SEM研究 李小成，吕晋军，高 飞，杨生荣 (中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室，甘肃兰州730000) 自从Jamieson发现单晶硅的高压相变现象以 的中间相si-Il，因而磨损表面局部出现了塑性流动 来，有关单晶硅的高压相变的研究逐步开展起来，其 现象，总体上表现微断裂和塑性变形共存的特征。 最终目的之一就是通过金属延性相的出现来解决单 微断裂的出现主要有两方面的原因，一方面是由于 单晶硅低的断裂韧性(室温下单晶硅的断裂韧性为 晶硅的加工问题。Pharr、Gogotsi、Zhangliangehi等人 利用纳米压人技术系统研究了单晶硅的压力致相变 0．9MPa m“2)；另一方面则是由于单晶硅相变过程 问题。本文旨在研究单晶硅在滑动摩擦过程中的相 中出现的体积收缩(10％～20％)。图2显示该实验 变问题。 条件下单晶硅的磨屑是由亚微米，纳米化的小颗粒 l实验部分 组成的，该磨屑经电子衍射分析呈现非晶的特征。 本试验在美国UMT．2MT摩擦磨损试验机上进出现这种结果有两种可能，一种是该磨屑起初就是 行。试验材料为单晶硅(111)，选用球．面接触(对偶 以非晶的形态从磨损表面脱离的。另一种是起初以 为+3 si．I的形态从磨损表面脱离，在随后的摩擦过程中 mm的si，M)方式，往复运动方式，试验速度为 5mnds，载荷为1N。单向行程为6．0m，环境温度 经过反复的碾压和摩擦最后变成了非晶硅。无论是 哪一种可能，磨屑的TEM结果都可以说明单晶硅在 为20℃一25℃，相对湿度为40％～50％。摩擦实验 前用CP．13腐蚀液(硝酸、氢氟酸、磷酸和去离子水摩擦过程中发生了相变，最终的产物为非晶硅，其相 按2：1：1：4体积比配制)进行轻腐蚀，以去除单晶硅 的相变路径必须经过的中间高压相。 表面的氧化层。利用JSM．5600LV型SEM观察单晶 硅磨损表面。 图3为延长时间后单晶硅的磨损表面形貌，此 2结果与讨论 时单晶硅表面发生了严重的磨损。已不存在金属延 性特征的塑性变形区域，取而代之的是大量的微断 图1为单晶硅与sbM球在低速(5mm／s)下对磨 1min后的磨损表面形貌，从图中可以看出单晶硅磨裂和磨屑颗粒。 损表面以微断裂为主(微裂纹方向垂直于滑动方 以上研究结果表明单晶硅的相变只发生在摩擦 向)，同时伴有大量的塑性变形区域，表现为金属延 的初期，表现为大量塑性变形区域的出现，磨损表面 性特征的塑性流动区域。按照赫兹应力公式计算得 的特征为微断裂与塑性变形共存。随着时间的延 到该实验条件下的应力为0．6GPa左右，但实际上磨长。磨损表面上几乎观察不到塑性变形，主要由微断 损表面的微凸体上产生的应力要远远高于这个数 裂组成，影响磨损的其他因素仍需进一步研究。 值，足以使单晶硅发生相变产生具有金属延性特征 参