电化学沉积CIGS薄膜预置层地研究.pdfVIP

E．005 电化学沉积CIGS薄膜预置层的研究 塾蕉壬幸，康峰，孙国忠，何青，孙云，周志强，李凤岩 f南开大学光电子：萍膜器件与技术研究所，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津， 300071，E-mai I：aojp国nankai．cdu．cn) 好，是制备高效薄膜太阳电池最有前途的材料之一．用真空蒸发沉积(PVD)的CIGS基薄膜 太阳电池光电转换效率已达到了19．5％【l】．但是，真空制膜技术所用的真空系统，成本高，大 面积制备均匀性较差。电沉积制备CIGS薄膜由于具有沉积过程温度低，设备简单，可制得低 成本、高效率和性能稳定的CIGS薄膜等优点而受到光伏界的广泛关注，电沉积CIGS预置 层制备的电池效率最高达到15．4％Il】． 电沉积CIGS薄膜是多元共沉积，反应机理复杂，影响因素多．可采用的溶液体系种类 多、一组成复杂，因此研究开发出合适的溶液体系是目前的关键。氯化物盐、邻苯二甲酸氢钾 和氯基磺酸组成溶液体系是目前得到接近化学计量比的CIGS薄膜的一种重要的溶液体系 【l】，一般得到富铜的CIGS薄膜，此外对电沉积的机理研究不充分。 本文采用循环伏安法对该体系中Mo／玻璃衬底上电沉积的电化学性质进行了初步的研 的InCl3；50mM的GaCl3’96mM的H2Se03‘9 109／L的LiCl；以苯二甲酸氢钾和氨基磺 酸为pH缓冲剂，溶液的pH值为2．1～2．3。采用CHl600C电化学工作站控制电沉积过程及 循环伏安测试，以Pt片作为辅助电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极。薄膜成份及结 Pro型x射线衍射 晶结构由Panalytical公司的PW2403型x荧光光谱仪(XRF)和X’Pert 仪(XRD)测定。 和0．74V．在不同的溶液体系中，实际的沉积电位会有很大的变化，图l所示为空白溶液及 cu、hl、Ga和se单组份溶液中的循环伏安法曲线．图1(a)是只含有LiCI、苯二甲酸氢钾和氨 基磺酸的溶液中，Pt电极及Mo／玻璃电极的循环伏安曲线，从图中可以看出，在Pt电极在 1．2～O．5V(相对于SCE)不发生电化学反应；而在Mo电极上，阴极扫描一开始就有很小的 电流通过，这可能是Mo表面的氧化物发生了还原反应，阳极扫描在0．0V时出现Mo的氧化峰。 在含有GaCl3或InCl3的溶液中测得的循环伏安曲线与空白溶液中的基本相同(图中没有列 的循环伏安曲线，从图中可以看出，含se溶液中的CV曲线上，在．0．1V开始出现(4)式的反应， 研究结果是一致的【l】．含cu寸溶液中的cV曲线上，在．0．3V处出现(1)式的还原反应，溶液的 氨基磺酸对多种金属离子的阴极极化有较大的提高． O 4 J， O 3 pI口J_，”m‘k{l： O 2 1‰ O 1 0 O 一 以 ’●一 、 { ¨n‘kl骱tmr．‘ 0 1 7 O 2 f ^．c13、《一jlsco口芒譬30 O吣∞∞∞吣∞∞∞ 3 一。P__Io、鼍一扫一∞c∞口_cmyJJ30 1．5 1．0 0．5 0．0 -0．5 ．1．0 0．2 0．0 -0．2 -0．4 ．0．6 ．0．8 ．1．0 ‘ Potential(V。VS．SCE)