伯克利通用多栅极模型(BSIMMG)模型的开发,是为了满.pdfVIP

BSIMMG 伯克利通用多栅极晶体管模型 纳米场效应晶体管（nano-FETs）的高级物 理紧凑模型 伯克利通用多栅极模型（BSIMMG）模型的开发，是为了满 足电路设计人员目前和未来采用先进纳米场效应晶体管( 如FinFETs)的需求，具有延伸技术路线图到次25纳米的潜 力。BSIMMG模型在多栅器件几何形状、新型材料和制造技术 方面提供了最大的多功能，同时不影响前几代BSIM紧凑模型 的易用性和仿真效率特性。 模型特征 • 基于表面势的模型，栅极有额外的静电控制 • 可选的简化表面势解以进一步提高计算效率 • 量子力学效应 • 转角引起的有效宽度减少 • 短沟道效应，包括阈值电压滚降、DIBL、亚阈值斜率效 应和沟道长度调制 • 多晶硅栅耗尽效应 BSIMMG结构中的各种多栅结构 • 迁移性退化 • 混合表面方向迁移性 • 速度饱和 使用BSIMMG的优点 • 具有源端速度极限的速度过冲 • 在体硅或者SOI技术实现的双栅极、三栅极、四栅极或 • 依赖偏置电压的内部和外部串联电阻模型 圆柱形多栅极FET结构的多种选择。 • 栅隧穿电流 • 基于物理表面势方程，BSIMMG模型是连续、对称和可扩 展的，以及对于多种器件参数是可预测的。 • 栅极引起的漏极和源极漏电流(GIDL, GISL) • 碰撞电离 • BSIMMG模型捕捉几乎所有重要的纳米场效应晶体管具体 的物理现象 • 非准静态效应 • 非硅沟道器件和高k金属栅极堆叠结构的参数 • 寄生电容 • 可以调节复杂的外部RC网络和表面势解以达到要求的模 • 接面电容和电流 型精度和仿真效率 • 温度效应和自加热 • 可以在BSIM和PSP沟道迁移率模型之间切换。 • 热/闪烁/散粒噪声 • 几何缩放和模型参数的分选（binning ） Silvaco的实现 • BSIMMG模型在SmartSpice中实施作为BSIM-CMG Level=105 （伯克利2011年6月版本105.03）。 • Silvaco的实施完全符合BSIMMG模型版103.0的原伯克利 Verilog-A代码。 • 节点折叠方案的选择是通过结合模型和实例器件语句中 指定的BSIMMG控制参数。