E-fuse单元性能测试和外围电路研究.pdf

摘要 本文主要介绍了电熔丝E-fuse单元的各种编程特性以及与其相关的外围 电路设计。目的是通过设计简单优化的外围读写电路对不同特征的电熔丝单元 进行读写操作，然后根据大量的测试结果进行数据统计分析，最后确定稳定性 好且尺寸最优的电熔丝E-fuse单元。对于不同工艺下不同掺杂的E-fuse单元， 不同的编程环境可能获得差别很大的编程后电阻：在对E-fuse单元进行测试研 究的过程中，测试环境也可能造成测试结果的不同；所以在对电熔丝的研究中， 大量的数据采集是必须的。简单优化的编程电路能够快速的对电熔丝单元进行 编程，灵敏度好的读取电路可以精确读取处于不同编程状态的电熔丝单元。通 过调整读取电路中相关晶体管的参数，可以提高电路对编程后电熔丝电阻的感 应灵敏度，达到合理降低编程电压和编程时间的目的。使编程前后的电熔丝 E-fuse单元被准确读出是外围电路设计的关键。 关键词：电熔丝，编程后状态，稳定性，可靠性，感应电路 中图分类号：047半导体物理学 第l页 Abstract This isa ofE—fuseelement papersystematicstudy andtherelated periphery aseriesof onE-fuseelementswithdifferent circuit．Through testing properties，the E—fuse elementwith and easilyprogrammed isselected． goodreliabilitystability Withan and sense E-fuseelement optimizedprogram circuit，the iseasy withanormalI／0 withinan programmed voltage accepted and E-fuse E—fuseelementscallbedifferentiatedthe un—programmed by simple sensecircuit． Keywords：electrical fnse(E—fuse)，programmed circuit． ClassificationCode：047 第2页 第一章引言 1．1研究背景和目的 随着半导体工艺的微小化以及复杂度得提高，半导体元件也变得更容易受 各式缺陷或杂质得影响，而单一导线、二极管或者晶体管等得失效往往即构成 整个芯片的缺陷。这就大大增加了芯片生产的平均成本。特别是进入90纳米及 65纳米以上的工艺后制造成本越来越高，而在工艺周期早期良率比较低的情况 下，如何提高芯片良率、降低芯片成本变得越来越重要。 在应用领域，许多先进的芯片设计中集成了越来越多的SRAM和其它类型 的存储器，往往单是SRAM的面积就能占到整个芯片面积的50％以上。芯片良率 在存储器生产过程中是一个非常重要的指标。为了提高良率，多年来冗余电路 Circuit)都被大家习惯