截止频率为22GHz地梳状结构SiGe+HBT研究.pdfVIP

截止频率为22GHz的梳状结构SiGeI-IBT研究 堆謇，张伟，李高庆．周卫，徐阳，蒋0．李希有，付1霞，钱佩信 (清华^学微电r学Ⅵ究孵nml∞084) 摘要： 介绍7鼠胞lO叉指集电板上引出鲒1l勾的SiGe HBT．其B、‰和Bv锄分别为IIV 最高振荡频率可迭128GHz(未作去嵌入)． 关键词：SiGeHBT；梳状结构：戡止频率：最高振蔫频率 i引言 SiGe 功率器件，SiGeHBT儿有低成术和低噪声的优判“，J缸且易f与CIvlOS J：艺蔗容．便r利用现有设蔷进 行鬯产制造，便于实现集成，有着良好的实片j价值和应用前景。闻此．SiGe愈米愈受刊人们的关注，n一 些赣域已开始连步暇代Ⅲ一【v旌化合物功车器件。 频率岛为22GHz，具肯良好的喊嘲和研究价值。 2设计和制造 本器件设计为GSD微波测砌口直·其平面结构和缴向结构如嘲I和罔2所示。读器什采用p衬底． 有源区下方做斛埋层以减小集屯撮串联电阻。用深槽进行隔离．并降低器什的寄牛参数，采m