激光对PV型Hg1-xCdxTe探测器的损伤效应.pdfVIP

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  • 2017-08-19 发布于安徽
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激光对PV型Hg1-xCdxTe探测器的损伤效应.pdf

第35卷,增刊 红外与激光工程 2006年lO月 V01.35 InfraredandLaser Oct.2006 Supplement Engineering 激光对PV型H91.xCdxTe探测器的损伤效应 王飞,程湘爱 (国防科学技术大学光电学院定向能技术研究所,湖南长沙410073) 号输出,得出了pn结退化造成其性能下降的结论.根据pn结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射 的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象。研究了其pn结退化造成的探测器 响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于Hg原予的逃逸和扩散给器件性能带来的影响。 关键词:pn结退化; 损伤;PV型H91.xCdxTe探测器;.并联电阻模型 中图分类号:TN215 文献标识码:A 文章编号:1007.2276(2006)增A.0169—04

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