2-2晶体管原理课件 电子科大版.pptVIP

势垒区中电场的减小,打破了漂移作用和扩散作用之间原来的平衡, 使载流子的漂移作用减少,扩散作用占据优势 当外加正向电势使势垒高度降为q(Vbi-V)后，就无法再阻止载流子的扩散，于是就有电子从Ｎ区扩散到Ｐ区，有空穴从Ｐ区扩散到Ｎ区，从而构成了流过PN结的正向电流 正向电流密度由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp ( 在 N 区中推导 ） 当Ｐ区空穴运动到势垒区边缘时，可以通过扩 散穿过势垒区而进入Ｎ区，成为注入到Ｎ区的 少子 注入到Ｎ区的空穴不断扩散，同时不断与多子 （电子）复合。 为了维持电流的连续性，与空穴复合而消失的 电子将由外电路补充。 注入到Ｎ区的空穴流转变成Ｎ区的电子流。 2、电子扩散电流密度 Jdn ( 在 P 区中推导 ） 当电子由Ｎ注入到Ｐ区时，电子在Ｐ区的扩 散过程不断与Ｐ区多子（空穴）复合。 为了维持电流的连续性，消失的空穴将由外电 路补充。 注入到Ｐ区的电子流转变成Ｐ区的空穴流。  3、势垒区复合电流密度 Jr ( 在势垒区中推导 ） 由Ｐ区进入势垒区的空穴与Ｎ区进入势垒区的 电子，其中有一部分在势垒区中发生复合，而 不流入另一区中，由此形成势垒区复合电流 反向电流密度也由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp  势垒区边缘上Ｎ区的少子空穴，被势垒区中的 强大电场拉向Ｐ区。 这些空穴是在Ｎ区内由热激发产生的，在每对 电子-空穴对中，空穴向势垒区方向运动，电子 就向电极方向运动。 从而维持电流的连续性。 电子在Ｎ区是多子，仅需微弱的电场就可生成 一定的电子漂移电流。 2、电子扩散电流密度 Jdn 与上述情形类似，在Ｐ区，由热激发产生的， 电子-空穴对，电子向势垒区方向扩散，后被势 垒区中的强大电场拉入Ｎ区，空穴就向电极方 向运动。  3、势垒区复合电流密度 Jg  在势垒区中，由复合中心热激发产生电子-空穴 对，电子被拉向Ｎ区，空穴被拉向Ｐ区，由此 形成势垒区复合电流 以Ｎ区与势垒区边界上的少子浓度pn 为例: 平衡时(V=0): pn = pn0 在 ln I ~V 特性曲线中，当以 Jr 为主时， 当以 Jd 为主时， ( 斜率 = q/2kT ) ( 斜率 = q/kT ) 当外加反向电压且 |V| kT/q 时，两种反向电流的比值为 当温度较低时，以 Jg 为主， 当温度较高时，以 Jd 为主， EG 越大，则由以 Jg 为主过渡到以 Jd 为主的温度就越高。 反向电压下的 ln I ~1/T 特性曲线 在一般常用的正向电压和温度范围，PN 结的正向电流以扩散电流 Jd 为主。这时正向电流可表示为 2.2.5 正向导通电压 由于反向饱和电流 I0 的值极小，当正向电压较低时，正向电流很小，PN 结似乎未导通。只有当正向电压达到一定值时，才出现明显的正向电流。将正向电流达到某规定值（例如几百微安到几毫安）时的正向电压称为 正向导通电压，记作 VF 。 * * PN 结在正向电压下电流很大，在反向电压下电流很小，这说明 PN 结具有单向导电性，可作为二极管使用。 2.2 PN 结的直流电流电压方程 PN 结二极管的直流电流电压特性曲线，及二极管在电路中的符号为 图2.11PN结的伏安特性曲线图 二极管的电流和电压的关系不遵从欧姆定率 本节主要讨论： 1、中性区与耗尽区边界处的少子浓度与外加电压的关系。这称为“结定律”，并将被用做求解扩散方程的边界条件。 2、PN 结耗尽区两侧中性区内的少子浓度分布。 3、PN 结的直流电流电压方程。 面积为 Vbi 2.2.1 外加电压时载流子的运动情况 外加正向电压 V 后，PN 结势垒高度由 qVbi 降为 q(Vbi -V) ， xd 与 减小，使扩散电流大于漂移电流，形成正向电流。 由于正向电流的电荷来源是 N 区电子和 P 区空穴，它们都是多子，所以正向电流很大。 P N x 0 平衡时 外加正向电压时 外加电场 内建电场 面积为 Vbi-V V P区 N区 0 正向电流密度由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp ( 在 N 区中推导 ） 2、电子扩散电流密度 Jdn ( 在 P 区中推导 ） 3、势垒区复合电流密度 Jr ( 在势垒区中推导 ） 外加反向电压 V (V 0) 后，