2-3晶体管原理课件 电子科大版.pptVIP

当两个系统相互接触而达到平衡时,合起来的系统应有最小的自由能 由式(2.81a) 由式（2.83a)可以推测： 当Jp 一定时，在Ｐ区，由于空穴是多子， 根据韦伯斯脱效应将上式中的 * * 2.3 准费米能级与大注入效应 2.3.1 自由能与费米能级 粒子系统处于平衡状态时其自由能最低，自由能是系统内能U与熵S的函数 根据自由能F最小的条件可得到热平衡下电子按能级的分布几率, 即费米-狄拉克分布 EF 代表对该系统引进一个粒子时,系统自由能F的增量．Ｎ是系统的粒子数 则自由能F最小的条件为 两个子系统的费米能级相等 平衡时的载流子浓度可表示为 在平衡状态时，存在统一的费米能级 EF ，即电子与空穴有相同的费米能级，并且费米能级在半导体内处处相等。 平衡时两区的费米能级相等,而两区的空穴(或电子)浓度并不相等, 说明两区的本征费米能级Ei必不相等。若以Eip 和 Ein 分别表示Ｐ区和Ｎ区的本征费米能级之值, 则由(2.78a) 和(2.78b) (2.78a) (2.78b) 平衡 PN 结的能带图 N区 P区 本征费米能级代表禁带中央的位置．现在它在两区不相等，且 电子的电位能在两区之间的差为 由此可得： 2.3.2 准费米能级 在非平衡情形，不存在统一的费米能级，但同一种粒子在同一地点的能量分布仍与费米分布函数形式相同，为了能用类似描述平衡状态的公式来描述非平衡状态的载流子浓度分布，引入了 准费米能级 的概念。 设 EFp 与 EFn 分别为空穴与电子的准费米能级，且均可随 x 而变化，则非平衡状态时的空穴和电子浓度仍可表示为 由于自由能包含能量项，费米能级中包含粒子的位能，在有外加正向电压时，电子位能在Ｎ区电极接触处比Ｐ区电极接触处高qV, 因此两处的准费米能级之为 ， 平衡时，空穴和电子有统一的且不随地点变化的费米能级EF；非平衡时，准费米能级EFp与EFn一般不相等，而且这两个量本身是空间的涵数。 在同一欧姆接触电极附近，无论对PN结外加正向电压还是反向电压，这两个子系统之间在该处是达到平衡的，从而有 准费米能级的变化情况： 空穴电流密度方程： 因 得 电场强度Ｅ和能带变化率的关系： 得： 同理可得： (2.83a) (2.83b) 极小 EFp可视之为常数 在Ｎ区，由于空穴是少子，以速率（Dp/Lp)扩散 代如式(2.83)得 在势垒区内，EFp的增量可以忽视 外加正向电压时的 PN 结能带图 耗尽区中, 这个差值就是势垒高度比平衡时降低的数值。 耗尽区中同样有 这个差值就是势垒高度比平衡时增高的数值。 外加反向电压时的 PN 结能带图 小注入条件：注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡多子浓度。即： 2.3.3 大注入效应 PN 结在正向电压下，势垒区的两侧均有非平衡少子注入。以 N 区为例，当有 ?pn 注入时，由于静电感应作用，在 N 区会出现相同数量的 ?nn 以使该区仍保持大体上的 电中性。 N 区少子 N 区多子 且 在 N 区中 xn 附近， 或在 P 区中（- xp）附近， 1、小注入条件与大注入条件 N 区 这时非平衡多子可以忽略，即： 图2.23 N区中小注入时的电子和空穴浓度分布 大注入条件：注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡多子浓度。即： 在 N 区中 xn 附近， 或在 P 区中（- xp）附近， N 区 当 N 区发生大注入时，在 xn 处， 由上式可知，pn = nn 或 nn pn = pn2 另一方面，已知在有外加电压时，耗尽区中（包括耗尽区边界处）的载流子浓度乘积为 2、大注入条件下的少子浓度边界条件 少子浓度: 多子浓度: 同理，当 P 区发生大注入时在 -xp 处， 式（2-90a）和（2-90b）就是大注入下的少子浓度边界条件之一。另一方面的边界条件是,在中性区另一侧与电极的欧姆接触处, 少子浓度恢复为平衡少子浓度,这与小注入时的情形相同 于是可得当 N 区发生大注入时在 xn 处， （2-90b） （2-90a） 当 N 区发生大注入时，在耗尽区附近的 N 区中有 nn = pn ，但由于电子不可能象空穴那样从 P 区得到补充，所以电子的浓度梯度将略小于空穴的浓度梯度。 N 区 3、大注入条件下的自建电场 电荷在空