分子动力学模拟不同入射角度的SiF3＋对SiC表面的作用.pdfVIP

· 144 · 材料导报 B：研究篇 2012年 1月(下)第26卷第 1期 分子动力学模拟不同入射角度的SiF3+对 SiC表面的作用 贺平逆 ，吕晓丹 ，赵成利 ，苟富均。“ 贵州大学PSI研究所 MEMS课题组，贵阳550025；2 贵州大学理学院，贵阳 550025；3 四川大学原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室，成都 610064；4 荷兰皇家科学院等离子体所，荷兰 2300) 摘要 采用分子动力学模拟方法研 究了3O0K入射能量 150eV时，以不 同角度 (5。、30。、6O。和 75。)入射 的 s．F3与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于S卜卜C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示，入 射SiF3与SiC表面相互作用后会分解，分解率随着入射角度的增加而减小。分解产物除少量散射外，大部分会沉积 在SiC表面，Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少。随着S|F3不断轰击SiC表面，SiC表 面会形成 si_F_C反应层，且反应层厚度随着入射角度的增加而减少。同时发现SiC中的Si原子较 C原子更容易被 刻蚀 ，与实验结果一致。当刻蚀达到稳定。入射角度为5。、30。、6O。和 75。时，C的刻蚀率分别约为 0．026、0．038、0．018、 0．005，Si的刻蚀率分别约为 0．043、0．051、0．043和 0．023。各入射角度下，产物分子种类主要为F、SiF和 SiF2。F 和 SiF产物量随入射角度增加而增加，而 siF2产量随入射角度增加而减少。在入射角度等于 5。和 3O。时，siFC 是 主要的含C产物；而在入射角度等于6O。和75。时，CF是主要的含C产物。在入射角度等于5。和3O。时，Si 是主要 的含 Si产物；在入射角度等于6O。和 75。时，SiF是主要的含 Si产物。刻蚀主要通过化学增强的物理溅射进行。 关键词 分子动力学 SiFs刻蚀SiC 分子动力学模拟 SiC 中图分类号：TN304．1+2 文献标识码：A AngularEffectsofSiF3+EtchingSiC Surfaces：MD Study HEPingni ，LU Xiaodan，ZHAOChengli，GOUFujun (1 InstituteofPlasmaSurfaceInteractionsforMEMS，GuizhouUniversity，Guiyang550025；2 CollegeofScience，Guizhou University，Guiyang550025；3 KeyLaboratoryforRadiationPhysicsandTechnologyMinistryofEducation，Institute ofNuclearScienceandTechnology，SichuanUniversity，Chengdu610064；4 FOM InstituteforPlasmaPhysics， 3439MN Nieuwegein，Netherlands2300) Abstract MoleculardynamicssimulationswereperformedtoinvestigatetheangulareffectsofSiF bombar— dingSiC surfacesattheincidentenergyof150eV．TheimprovedTersofBrennertypepotentialsfortheSi—C-Fsystem wasemployed．Thesimulationresultsshow thatwiththeenergeticSiFa ionsimpactingontheSiC surfacetheywill dissociate．Itisfoundthatmostdissociatedproductsdeposito