下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展.pdfVIP

第柏 卷 第 11期 激 光 与 红 外 V01．40．No．11 2010年 11月 LASER ＆ INFRARED November，2010 文章编号：1001-5078(2010)11-1163-05 ·综述与评论 · 下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展 左保军，祝东远，张树青，李润顺 (哈尔滨工业大学空间光学工程研究中心，黑龙江 哈尔滨 150001) 摘 要：当前半导体器件加工水平正在向22am方向发展，而最有希望实现这一尺寸的光刻技 术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的l3．5nm辐射因为波长极短，物质对其吸收十分强 烈，所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收集EUV光源 发出的辐射能成为了EUV光刻技术中的一大难题。本文主要介绍了国外在 EUV光源收集系 统方面的发展现状，描述 了两大类 EUV光源收集系统 (垂直入射式和掠入射式)的一些设计 形式和设计实例，并对各种设计形式的EUV收集系统进行 了分析和比较。还重点介绍了目前 被普遍看好的内嵌式掠入射WolterI型收集系统的设计与加工等情况。 关键词：光刻；EUV；垂直入射式；掠入射式；收集效率；内嵌式；WolterI型 中图分类号：TN305．7 文献标识码：A DevelopmentofEUV sourcecollectorsfornextgenerationlithography ZUOBao-jun，ZHUDong—yuan，ZHANGShu—qing，LIRun-shun (ResearchCenterforSpaceOpticalEngineering，HarbinInstituteofTechnology，Harbin150001，China) Abstract：Atpresent．thesemiconductorchips processingisdevelopingtoward22nm．Themostprobablemethodtoa． chievehtissizeisEUVLithography．ThelightemittedfromEUVsourcesisveryshort(13．5nm)，andmostofsub- stanceswouldabsorbthisradiationstrongly，SOusingthetransmissionopticstocollecttheradiationisimpossible．Howto collecttheradiationemittedfrom EUV sourcesefficientlybecomesabigproblem inEUV Lithography．Thispaperpres· entstwokindsofEUV sourceCollector，nearnormalincidencecollectorandrgazingincidencecollector，andsomede． signsorinstnacesofthem．Emphasisisputonhteintroductionaboutthenestde rgazingincidenceWoherICollector． Keywords：lithorgaphy；EUV；normalincidence；rgazingincidence；collectionefficiency；nested：WolterI 1 引 言 分。该部分最靠近EUV辐射源，需要在承受巨大的 当前，半导体工业正在 向光刻技术的物理极限 连续辐射和 EUV辐射源产生的碎屑的影响下保持 发展。目前国外已经开发出节点为32am的半导体 较好的反射率，收集EUV光中13．5nm波长的大部 芯片。