中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究.pdfVIP

第 27卷 第 6期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 Vo1．27 NO．6 2O1O年 12月 JOURNALOFATOMICAND MOLECULARPHYSICS Dec． 2010 doi：i03969／j．issn．1000—0364．2010．06．017 中高能电子入射单电离 He原子过程 中 屏蔽效应 的理论研究 张穗萌 ，吴兴举 ，陈展斌。，杨 欢 ，刘 向远 (1．安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所 ，六安 237012； 2．安徽师范大学物理与电子信息学院，芜湖 241000) 摘 要：这篇文章用3C和DS3C模型，在不同几何条件下研究了中高能电子入射单 电离He原子的三重 微分截面(TDCS)，将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行 了比较；分析 了有效电荷对三重 微分截 面影响．研 究表 明：在 中高入射 能下，截 面的角分布 由 binary峰和 recoil峰组成 ，末态 电子 与电子之 间的排斥作用对峰 的大小有显著贡献．更进一步 ，修正后 的 binary峰 的幅值对入射 电子 能量 和散射 电 子偏 角 目的变化 比较敏感． 关键词 ：中高能入射 电子 ；有效 电荷 ；屏蔽效应 中图分类号 ：O561．5 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—0364(2010)06—1105—09 A theoreticalstudyon screeningeffectsforelectron impactsingle ionizationofhelium atinterm ediateandhigh energies ZHANG Sui—Meng ，W U Xing—Ju，CHEN Zhan—Bin ，YANG Huan ，LIU Xiang—Yuan (1．InstituteofAtomicandM olecularPhysics，DepartmentofMathematicsandPhysics，W estAnhuiUniversity，Lu’an237012，China； 2．CollegeofPhysicsandElectricalInformation，AnhuiNormalUniversity，W uhu241000，China) Abstract：In thiswork，fordifferentcollisiongeometry。thetripledifferentialcrosssectionsforelectron impactsingleionization ofHelium atintermediateandhigh energiesarecalculatedby useof3C and DS3C models．Resultsarecomparedwiththoseoftheearlierexperimentalmeasurementsand thelatest absolutemeasurements．TheinfluenceofeffectivechargesonthetripledifferentialcrosssectionsiSana— lyzed．Itisseenthattheangulardistributionconsistsoftwopeakswhichcanbeassignedtobinaryand recoilpeaksatintermediateandhighenergies．Thefinal-stateelectron — electronrepulsioncontributes significantlytothemagnitudeofthepeaks．Furthermore，themagnitudeofthemodifiedbinarypeakde— pendssensitivelyonincidentenergiesE0andthescatteringangles01． Key