不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究.pdfVIP

第26卷第2期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 v01 ．26 No ．2 Z009年4月 J OURNAL OF ATOMI C ANDMOLECULAR PHYSI CS Apr ．2009 文章编号：l 00 0—0364 20 09) 02—034 3—0 6 不同晶格基底上薄膜生长的Mont e Car l o模 拟 研 究 谭天亚，李春梅，苏 字，张 静，吴 炜，郭永新 辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室 ，沈 阳110 036) 摘要：利用Mont e Car l o MC) 方法模拟研究了四方和六方 晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和 岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系．模型中考虑 了粒子 的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发 等过程 ．结果表 明，基底 晶格结构对薄膜生长具有 明显影响。当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0 时。四方 晶格基底上薄膜 的生长 已经呈现明显的凝聚生长，随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加，岛 的数 目变少 、岛的平均尺寸变大．对于六方 晶格基底，当入射粒子剩余能量为0 、温度从300 K升高到350 K时，岛的形貌从分散生长向分形生长转变；当基底温度为300 K、入射粒子刺余射能量从0上升到0 ．05 e V时，岛由分散生长 向分形生长转变． 关键词：Mont e Car l o模拟 }薄膜生长，晶格 ，基底温度 ，入射粒子刺余能量 中图分类号：04 84 ．1 文献标识码：A Mont e Car l o s i mul at i on and st udy of t hi n f i l m gr owt h on di f f er ent cr ys t a l subst r at e TAN Ti an—Ya ，LI Chun—Mei ，SU Yu，ZHANG J i ng ，WU Wei ，GUO Yong—Xi n Sheny ang Key Labor at or y of Phot oe l ect r oni c Devic e s and Det ect i on Technol ogy ． Facul t y of Phys ic s ，Li aoni ng Uni ver si t y ，Shenyang 1 10036 ．Chi na ) Abst r act ：The ef f e ct of t he s ub s t r at e t emper at ur e and t he r es t ener gy of i nci dent pa r t i c l e s on t he i sl a n d mor phol ogy and s i ze at t he ea r l y s t age of t h i n f i l m gr owt h on t et r a gonal and hexag onal s ubs t r at e s ar e s t udi ed by Mon t e- Car l o s i mul at i on ．In our model ，t hr ee pr oce s s e