阿达玛光谱仪的入射狭缝选择方法研究.pdfVIP

第30卷 ，第9期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．30，No．9，p 20l0年 9月 SpectroscopyandSpectralAnalysis September，2010 阿达玛光谱仪 的入射狭缝选择方法研究 范 玉 ，吴一辉 ，宣 明 ，张 平 ，周连群 ，刘永顺 lJ中国科学院长舂光学精密机械与物理研究所，应用光学国家重点实验室，吉林 长春 130033 2．中国科学院研究生院，北京 100049 摘 要 为了确定光谱仪的入射多狭缝结构设计的可靠依据，研究了4种阿达玛 S型狭缝阵列发生衍射后 的光强分布。采用MEMS加工技术制作出最小狭缝单元为 6 m×6 m的一体式微硅片阿达玛狭缝阵列， 对 3种 s7型狭缝和一种S15型狭缝进行比较。首先利用阿达玛矩阵构造狭缝阵列的孔径函数，得到了衍射 后的光强分布函数；然后运用 Matlab软件对光强分布函数仿真，获得了各种狭缝衍射后的光强分布图及光 通量对比。搭建了试验装置进行验证，试验表明实际衍射光强分布及光通量问的比值都与仿真结果相符。最 后分析了狭缝结构参数对光强分布的影响，总结了S型狭缝阵列衍射规律。所提出的衍射光强分布方法，为 光谱仪中入射狭缝的选择与设计提供了理论依据 ，为实际应用提供了有价值的参考。 关键词 阿达玛光谱仪；微硅片狭缝阵列；光通量 ；阿达玛 s型阵列 中图分类号：TH744．1；0233．1 文献标识码：A DOI：10．3964~．issn．1000—0593(2010)09—2581—05 比较，通过仿真与实验验证发现了多狭缝单元边距、单元尺 引 言 寸及阵列阶数这3个参数对光通量的影响规律，为阿达玛光 谱仪的入射狭缝类型的选择与设计提供了依据。 目前微小型光谱仪入射狭缝形式大多数采用单狭缝 ，在 化学分析、医学分析等对光谱仪分辨率高要求的情况下，通 1 阿达玛 S型微硅片阵列狭缝 常采用减小入射狭缝尺寸手段来实现。这必然导致光通量严 重下降，对微弱信号的分析极其不利。大多数光栅光谱仪不 按照S型矩阵的排列 ，本文制作了3种 S7型狭缝和 得不在光通量与分辨率之间进行折衷l1]。为了实现多狭缝阵 一 种 S15型狭缝进行比较，如表 l所示。 列结构，目前经常利用双层薄膜硅片叠加的方法，比如采用 压 电驱动加放大机构的方式来实现驱动，每次平移一个狭缝 Table1 Sslitsthathavebeenproduced(unit：pm) 距离。这种方法对两层狭缝阵列的对准工艺要求非常苛刻， 并且驱动结构复杂、精度有限，同时由于移动距离有限，限 制了狭缝 的个数，种种不利都 限制 了阿达玛光谱仪的发 展 ]。 MEMS技术的发展使光谱仪各项性能不断完善，正广 泛应用到各个领域l6J。本文利用 MEMS工艺制作出的全 固 态阿达玛狭缝阵列，最小狭缝单元为6m，完全能克服上述 微狭缝尺寸示意图如图1所示，其中狭缝尺寸是指最小 缺点，因为全周态的阿达玛光谱仪仅仅用一次采集就可以实 单元的长度乘以宽度 ，单元边距是指相邻两列的邻近边的距 离与相邻两行邻近边的距离 (列边距一行边距)。图2为显微 现阵列的变换。克服 1广大多数光栅光谱仪的缺陷。 但是，多狭缝结构参数应如何进行选择 ，目前却缺少可 镜下的微硅片狭缝实物图片，放大了100倍。 靠的依据，需要一种方法来指导多狭缝参数设计。本文以光 本文的微狭缝阵列以硅片为原料，通过使用 MEMS加 通量为考察对象，对多狭缝结构参数设计进行分析。以衍射 工技术得到了微狭缝阵列，加