模拟电子技术 教学课件 作者 刘振庭 19596模电电子教案（刘振庭2版）07.8.20.ppt

1.3.4 晶体管的选用原则 （1）在同一型号的管子中，应选反向电流小的，这样的管子温度稳定性能较好。? 值不宜选得过高，否则管子性能不稳定。 （2）若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选硅管；而当要求导通电压较低时，则应选锗管。 （3）若要求工作频率高，必选用高频管或超高频管；若用于开关电路，则应选用开关管。 （4）必须使管子工作在安全区：注意PCM、ICM、U(BR)CEO值不要超过极限范围。 第1章 半导体器件 本章首先简要介绍了半导体的基础知识以及半导体器件的核心部分--PN结，然后重点介绍了半导体二极管、晶体管和场效应晶体管的物理结构、工作原理、特性曲线及主要参数；在此基础上还介绍了二极管和晶体管基本电路、分析方法与实际应用。 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体管 1.4 场效应晶体管 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。物质的导电性能取决于原子结构。导体一般由低价元素构成，绝缘体一般由高价元素或高分子物质构成，半导体一般最外层电子为4。由于其导电性能介于导体和绝缘体之间，所以称为半导体。 硅原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 锗原子 Ge 化学成分纯净、具有晶体结构的半导体称为本征半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体的正离子核 被共价键紧紧束缚的价电子 在绝对温度或没有外界激发时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 本征半导体共价键结构 在获得一定能量(温度增高、受光照等)后，价电子即可摆脱原子核的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下空位，称为空穴。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 可见，自由电子和空穴总是伴随着本征激发成对出现的，也叫电子空穴对。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 在外电场的作用下，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子做定向运动形成的电子电流，一是仍被原子核束缚的价电子递补空穴形成的空穴电流。也就是说，在半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，这是半导体和金属在导电机理上的本质区别。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E 1.1.2 杂质半导体 本征半导体中由于本征激发所产生的载流子数目极少，导电能力依然很低。但如果在其中掺入微量的杂质，所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强。由于掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N型和P型两大类。 杂质半导体：利用一定的掺杂工艺制成的半导体 掺杂的目的：为了显著改变载流子浓度，以提高导电能力 施主杂质：掺杂后失去电子，提供多余的自由电子的物质 受主杂质：掺杂后获得电子，提供多余的空位的物质 按照掺入杂质的作用不同，可以将杂质分为两类： +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 施主原子提供的多余电子 施主正离子 N型半导体的共价键结构 1 N型半导体 N型半导体中掺入的杂质为磷或其他五价元素，磷原子在取代原晶体结构中的硅原子并构成共价键时，多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子，于是半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子成为多数载流子，空穴则成为少数载流子。 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 受主原子缺少电子产生的空穴 受主获得一个电子形成受主负离子 P型半导体的共价键结构 2 P型半导体 P型半导体中掺入的杂质为硼或其他三价元素，硼原子在取代原晶体结构中的硅原子并构成共价键时，因缺少一个价电子而形成一个空穴，于是半导体中的空穴数目大量增加，空穴成为多数载流子,而自由电子则成为少数载流子。 1.1.3 PN结 1 PN结的形成 浓度差 多子的扩散 空间电荷区 内电场 P、N结合 阻碍多子扩散，产生少子漂移 扩散漂移动态平衡 PN结 2 PN结的单向导电性 PN结正向偏置时，内电场削弱，正向电流增大，呈现低电阻，处于导通状态。 PN结反向偏置时，内电场增强，反向电流增大，呈现高电阻，处于截止状态。 1.2.1 二极管的结构和分类 1.2 半导体二极管 半导体二极管是由PN结加上引线和管壳构成的。 1 二极管的结构 点接触型半导体二极管的结构 半导体二极管的符号 按结构分：点接触型、面接触型和平面型 2 二极管的种类 按材料分：硅二极管和锗二极管 1.2.2 二极管的伏安特性 二极管伏安特性图 图中Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。正向电压低于死区电压时，正向电流很小，只有当正