模拟电子技术 教学课件 作者 邱丽芳 主编 第1章 半导体元件基础.ppt

目 录 目 录 （3）主要参数 1）开启电压UGS(th)和夹断电压UGS(off) 2）饱和漏极电流IDSS 3）直流输入电阻RGS 4）低频跨导gm(又称低频互导） 5）漏源动态电阻rds 6）漏源击穿电压U(BR)DS 7）栅源击穿电压U(BR)G 8）最大耗散功率PDM 1.4.2　绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）材料构成的，因此又叫MOS管。 1.4 场效应管 1、增强型MOS管 （1）结构与符号 图1.45　N沟道增强型MOS管的结构与符号 符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（沟道），虚线表示增强型。 1.4 场效应管 （2）N沟道增强型MOS管的工作原理 如图1.46所示，在栅极G和源极S之间加电压UGS，漏极D和源极S之间加电压UDS，衬底B与源极S相连。形成导电沟道所需要的最小栅源电压UGS，称为开启电压UT。 1.46　N沟道增强型MOS管加栅源电压UGS 1.4 场效应管 （3）特性曲线 1）输出特性（漏极特性）曲线漏极特性曲线如图1.47所示。 图1.47　N沟道增强型MOS管的输出特性曲线 1.4 场效应管 2）转移特性曲线 图1.48　N沟道增强型MOS管的转移特性曲线 1.4 场效应管 2、耗尽型MOS管 （1）结构、符号与工作原理 耗尽型MOS管工作时，其栅源电压UGS可以为0，也可以取正值或负值，这个特点使其在应用中具有更大的灵活性。图1.49为N沟道耗尽型MOS管的结构与符号。 图1.49　N沟道耗尽型MOS管的结构与符号 1.4 场效应管 （2）特性曲线 图1.50为N沟道耗尽型MOS管的输出和转移特性曲线。 图1.50　N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线 1.4 场效应管 （3）绝缘栅场效应管的主要参数 1）直流参数 ① 开启电压UT ② 夹断电压UP ③ 饱和漏极电流IDSS ④ 直流输入电阻RGS 2）交流参数 ① 低频跨导gm ② 极间电容 3）极限参数 ①漏极最大允许耗散功率PDM ②漏源击穿电压U(BR)D ③栅源击穿电压U(BR)GS 1.4 场效应管 1.4.3　各种场效应管的符号、电压极性及特性曲线 各种场效应管的符号和特性曲线见表1.2。 1、场效应管与三极管的区别 场效应管主要性能特点是输入电阻特别大，阻值高达108～1015；另外还有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、寿命长等许多优点。 三极管是一个电流控制的电流源，且导通电流较大，易发热、功耗大，是分立电路的主要组成元件。 2、结型场效应管的检测 （1）判定结型场效应管的栅极和管型。 1）结型场效应管引脚的判别 2）结型场效应管类型的判断 （2）用万用表判定结型场效应管的好坏。 1.4 场效应管 1.4.4　场效应管的性能特点及检测与选用 3．选用场效应管应注意的事项 （1）选用场效应管时，不能超过其极限参数。 （2）结型场效应管的源极和漏极可以互换。 （3）MOS管有3个引脚时，表明衬底已经与源极连在一起，漏极和源极不能互换；有4个引脚时，源极和漏极可以互换。 （4）MOS管的输入电阻高，容易造成因感应电荷泄放不掉而使栅极击穿永久失效。 （5）电源未关时，绝对不能把场效应管直接插入到电路板中或从电路板中拔出来。 （6）相同沟道的结型场效应管和耗尽型MOS场效应管，在相同电路中可以通用。 1.4 场效应管 * * 机床电气控制ppt 1.3.1　三极管的结构及符号 半导体三极管又称晶体三极管（下称三极管），一般简称晶体管，或双极型晶体管。 NPN型三极管 PNP型三极管 三极管按结构分类: 三极管的结构示意图和符号如图1.24所示。 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 1.3 半导体三极管 NPN型三极管结构与符号　　　　　　　PNP型三极管结构与符号 图1.24　三极管的结构示意图和符号 1.3 半导体三极管 三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。 三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。 三极管从应用的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图1.25所示。 图1.25　常见的三极管外形 1.3 半导体三极管 1.3.2　三极管的电流分配原则及放大作用 要实现三极管的电流放大作用，首先要给三极管各电极加上正确的电压。三极管实现