模拟电子技术基础 教学课件 作者 陈大钦 秦臻 邹韬平 第08章 场效应管及其放大电路.pptVIP

模拟电子技术基础 电子教案 V1.0 8 场效应管及其放大电路 8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管 1. 结构 2. 工作原理 3. 特性曲线与特性方程 (1) 输出特性及特性方程 (2) 转移特性 4. 沟道长度调制效应 8.1.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 8.1.3 P沟道MOS场效应管 8.1.4 MOS场效应管的主要参数 一、直流参数 二、交流参数 三、极限参数 8.2 结型场效应管 8.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 8.2.2 结型场效应管的特性曲线及参数 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 例8.3.1 8.3.2 场效应管的微变等效电路 1. 场效应管的低频小信号等效模型 2. 场效应管的高频小信号等效模型 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 (1) 共源极放大电路的动态分析 例8.3.2 例8.3.3 (2) 共漏极放大电路的动态分析 例8.3.4 4. 场效应管三种放大电路的性能比较 8.3.3 场效应管电流源 1. 场效应管镜像电流源 2. 场效应管多路电流源 3. 电流源为有源负载的场效应管放大电路 8.3.4 场效应管差分放大电路 1. 结型场效应管差分放大电路 2. MOS管差分放大电路 8.4 各种放大器件及电路性能比较 8.4.1 各种场效应管的特性及使用注意事项 8.4.2 各种放大器件电路性能比较 表8.4.2 各种放大器件电路性能比较 例8.4.1 8.3.2 场效应管的微变等效电路 (a) N沟道增强型MOS管 (b) 交流等效模型 图8.3.2 MOS管的低频小信号等效模型 为低频跨导 rds为场效应管的输出电阻 输入端口 输出端口 由于iG=0，可视为开路 8.3.2 场效应管的微变等效电路 图8.3.3 场效应管的高频小信号模型 (a) N沟道增强型MOS管 (b) 交流等效模型 图8.3.2 MOS管的低频小信号等效模型 图中: Cgd —— 栅漏电容 Cgs —— 栅源电容 Cgb —— 栅极-衬底间电容 Cds —— 漏源电容 如果源极与衬底没有相连，则还需考虑Cbs和Cbd。 8.3.2 场效应管的微变等效电路 (1) 画放大电路的微变等效电路 (2) 确定H参数 (3) 计算电压增益 (4) 计算输入电阻Ri (5) 计算输出电阻Ro 用微变等效电路法分析共源极和共漏极电路的步骤与半导体三极管电路相同。对于共栅极电路，由于未能有效利用栅极与沟道间的高阻，所以很少应用。 分析步骤: 8.3.2 场效应管的微变等效电路 图8.3.4 图8.3.1b共源极电路 的微变等效电路 图8.3.1(b) 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 ② 输入电阻 ③ 输出电阻 ① 电压增益 共源极电路的特点是： 电路具有电压放大作用，并且输出电压与输入电压相位相反；输入电阻高。 电路如图8.3.1b所示，已知VDD=5V， Rd=5k?，R=0， Rg1=300k?，Rg2=200k?，RL=5k?，场效应管的参数为VT=1V，Kn=0.5mA/V2，rds可以视为无穷大，试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。 Ro = Rd = 5k? 电压增益 输入电阻 输出电阻 解：为计算gm，首先要求静态值。 该题与例8.3.1电路及参数相同，已求得VGSQ= 2V，所以有 图8.3.4 图8.3.1b共源极电路 的微变等效电路 图8.3.1(b) 图8.3.5 例8.3.3电路 共源极电路如图8.3.5所示，已知VDD=5V，Rd=2.5k?，VGSQ=2V，场效应管的参数为VT=1V，Kn=0.8mA/V2， 。 当MOS管工作于饱和区，试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。 ① 求静态值 解： ② 求跨导和输出电阻 ③ 求电压增益、输入电阻和输出电阻 电压增益为 输入电阻 Ro = rds//Rd ? 2.4 k? 输出电阻 8.3.2 场效应管的微变等效电路 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 ② 输入电阻 ③