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圆片键合方法研究进展 胡燕妮 ，(武汉船舶职业技术学院) 摘要 ：本文将圆片键合的各种方法分为三类：无中介层键合、有 SinghR等对 InP进行 He离子注入 ，并利用 SOG玻 中介层键合、低温键合。并对其优缺点及各种改进方法进行了分析， 璃作为中间层对 InP和 Si进行键合，成功的将 InP层转移 为圆片级键合的应用和设计提供 了可靠思路。 到 Sj上 ，厚度为 650nm，如图 1所示。InP层表面粗糙度 关键词：阳极键合 熔融键合 共晶键合 黏着键合 玻璃浆料 为 8nm，经过化学机械抛光后 ，可以作为器件层的衬底同。 键合 热压键合 1概述 键合是半导体制造过程 中一种不可或缺 的技术 ，绝大 多数 电子产品的材料、结构间机械及 电气的连接都会用到 键合技术。它是把两片完整的圆片 ，包括裸片及 已经制备 好的器件 ，通过直接或间接的方法形成 良好接触的一种半 导体制造技术”】。 圆片键合是一种把大尺寸 圆片材料一次性集成在一 起的新兴微 电子制造技术，在 IC、微机 电系统和封装中的 应用 日益广泛。 圆片键合方法按照有没有中介层可以分为两类：有中 图1 中间层键合制备的Si上 InP层形貌 介层键合方法及无中介层键合方法。其中有中介层键合方 2．3玻璃浆料键合 法包括黏着键合、共晶键合、玻璃浆料键合及热压键合 四 玻璃浆料键合是一种使用玻璃浆料并利用丝 网印刷 种。无 中介层键合方法包括静 电键合 ／阳极键合和圆片熔 技术来实现键合的技术。通常 ，图形化后的浆料厚度为 融键合 ／直接键合 ：若按照温度高低可分为高温键合及低 1O一3Oum，在 每 个 芯 片 周 围 覆 盖 的 环 形 区 域 为 温键合两类。 30—200um 宽。利用烘烤的方法去除多余溶剂后 ，再对准 2有中介层键合 晶片进行热压键合。其优点是能实现气密性封装，且工艺 2．1共晶键合 简单 ，键合界面特性为大众所接受。但其洁净度不高，密封 共晶键合是让两种金属熔合为合金并固化，且使其重 圈 占用较大面积以及不能实现高精度对准等缺点影响了 新凝固后的混合物能形成晶体结构。常用于共晶键合的金 其使用范围。 属材料有AuSn、AuSi、CuSn、AuGe及AIGe等。共晶键合 2．4热压键合 过程中，基片上的金属层在特定温度下相互熔合。合金温 在特定温度和压力下实现的金属间键合即为热压键 度决定 了合金的沉积量或金属层厚度。金属材料熔化会使 合。热压键合通常有两个键合点。其优点是键合工艺简单 金属层在结合面处加速混合及消耗 ，并且金属可以形成流 且键合牢固，强度高 ，在略粗糙 的表面上也能实现键合。缺 体状态从而能使其界面上的区域平坦化。最终能在界面处 点是对表面清洁度较敏感 ，且温度对元件的影响不能较 形成一个稳定的熔融金相。该方法的优点是对键合表面的 大。适用于单片式大规模集成电路。 平整度、形貌和洁净度 的要求不高，即使在表面起伏较大 3无中介层键合 甚至存在颗粒的情况下，也可以形成良好键合。陈继超等 3．1静 电键合 ／阳极键合 人利用银锡共晶键合技术实现 了MEMS压力传感器 的气 静 电键合又称阳极键合，它可以不用任何粘结剂把玻 密封装。他们对Ag—Sn共晶键合工艺中3个参数 ：加热温 璃与合金 、金属或半导体键合在一起。其工艺如图2所示。 度、加热 时间和静载荷大小做 了对比实验与分析。实验结 将需要键合 的硅片接 电源正极 ，玻璃接负极 ，电压设置为 果表 明，温度为230oC、加热时间为 15min、静载荷为 500～1000V。然后把玻璃 一硅片加热到300—500。C。在 电 0．0039MPa～0．0078MPa时都能达到较好效果 。 压作用下，玻璃中的Na将 向负极方向漂移，因此会在紧邻 2．2