MCZ大直径单晶体生长数值模拟及控制参数优化.pdf

摘 要 摘 要 直拉法晶体生长(Cz)是一种重要的晶体生长技术，广泛用于大直径、优质半 导体晶体和光学介质晶体的生长，在现代科学技术应用中具有极其重要的地位。 晶体生长质量的好坏与界面形状、熔体内流动效应、热量输出和质量运输等密切 相关。由于半导体材料是不透明的，生长时处于高温及真空环境，用实验法测量 熔体内的温度、流速及杂质分布是非常困难，也是非常昂贵的，数值模拟已成为 间接了解、甚至预测熔体内温度、流速及杂质分布的有效方法。 本文采用数值模拟的方法，以熔体硅为例，对影响熔体流动、传热和传质等 因素作了较为系统的研究，主要内容为：(1)建立了层流数值模型，在模型中加 入了氧的运输方程，并考虑了磁场力的作用；推导出Cusp磁场的计算公式及电 of Interpolation 势修正方程：推导了非均匀网格时三阶QUICK(QuadraticUpwind MethodforPressure Linked 模型进行考核，验证了模型的准确性；(2)运用非稳态的层流模型，分析了不同 体内的流动状态与Gr数大小密切相关，当Gr数达到某一临界范围时，流动将 由层流向紊流转变，层流模型不再合适；分析了熔体的高度与半径的比值对熔体 流动状态的影响，模拟结果表明为了保持熔体流动稳定，避免起伏波动，减少熔 体高度，即在工艺上采用浅坩埚是可以取得一定效果的；(3)建立磁场作用下低 雷诺数(Reynolds 果对该数学模型进行考核，验证了紊流模型的可靠性；(4)对无磁场作用时，各 种因素，包括晶体旋转、坩埚旋转、自然对流等各自和相互作用对熔体内传热传 质的影响进行了研究。当不考虑自然对流时，同时增加晶体坩埚的旋转速度(坩 埚转速与晶体转速相反)并不能有效降低紊动能和紊流粘性系数，但考虑自然对 流时，在一定范围增加晶体坩埚的旋转速度将有助于降低紊流程度；(5)分析了 垂直磁场的磁场强度及勾形磁场的磁场强度、线圈半径、线圈距离熔体自由表面 的高度、两线圈的等高斯面与自由表面之间的相对位置等对熔体的影响，分析表 明：对于垂直磁场，在一定范围内增加磁场强度，能减少杂质的分布，过多的增 加磁场强度则使杂质增加：对于勾形磁场，在保持熔体底部中心处磁场强度不变 的前提下，产生勾形磁场线圈的大小及线圈之间的距离对熔体的影响不是太大， 但从节约能源的角度出发，建议在满足装配条件下采用小点的半径，线圈之间的 距离也不要太大；(6)运用响应面法，根据晶体生长的要求，建立了不同的优化 模型，对磁场强度、晶体旋转速度、坩埚旋转速度、坩埚侧壁的温度边界条件等 同时进行优化设计，对晶体生长控制参数的优化进行探讨和研究．计算表明该方 法是可行的。 关键词直拉法晶体生长；数值模拟：磁场；优化：响应面法 Abstract in cZOChralski oneofthe methodswhich used method(CZ)isimportant widely and of diameterand insemiconductor growingsinglecrystal1arger hi吐quality device．andit has inmodem optical greatsignificantdegree