镍铝合金硅化反应的研究.pdfVIP

镍铝合金硅化反应研究 黄益飞，蒋玉龙，茹国平 (复邑大学徽电子研究院，上海200433) 擒要： 系统研究．结果显示，该体系中存在AI向№的扩散和Ni与甾反应的两种过程，450C退火处理 下，由于界面的Al层阻止了硅化镍的生成，～作为主导扩散粒予往Ni金属层扩散，而镍铝化舍 物在实验中并未发现．～的加入对于NiSiJSi接触肖特基势垒并无显著改变． 关键词：金属硅化物；固相反应；合全 1引言 认为是亚微米工艺中用作源漏橱接触的关键材料【k刁．已有的研究表明镍硅化物在n型硅上势垒高度介于半 导体禁带中央，为了能够适用于n和P型MOS器件，镍金属合金的势垒调节也被作了充分的研究，包括 Ti、Hf,Zr、Pd、n和～等金属。到目前为止已经有№，b敞等人对越与已经形成的N两化合物的在不 同温度下退火反应作了研究，，而Hung等人对Ni／AI金属在二氧化硅匕面的扩散反应作了报邋碉。 本文采用不同Ni^U合金结构，对Ni／Ai合金在m型上面的硅化反应以及互相扩散影响进行系统研 究，同时利用电流．电压测试对肖特萋势瞧进行对比分析． 2实验 本文用n型(100)硅片和表面含有直径为0．