纳米掺杂SnO2地研究及其第一性原理的计算.pdfVIP

刘志勇等：纳米掺杂Sn02的研究及其第一性原理的计算 纳米掺杂Sn02的研究及其第一性原理的计算木 刘志勇，郑 冀，李松林 (天津大学材料科学与工程学院，天津300072) 摘要： 利用castap软件计算了co以不同比例掺杂 面体空隙，Sn占据晶胞的顶角和中心，阴阳离子配位 sn02的电子结构，分析了掺杂及掺杂比例对改善sn02 导电性的作用，建立了纯Sn02计算模型．计算结果表数为6：3。其单晶胞如图1所示。 明：纯Sn02是一种包含离子键的共价键直接禁带半导 体；通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质，使其具 有金属键性质，从而提高sn02导电性．其中，掺杂比 率为5％的价带到中间能级宽度最小，掺杂原子与其邻 近原子的电荷重叠区更明显，系统电子共有化程度最 高，费米能级处对电子态密度的贡献也最大，因此掺杂 比率为5％的导电性最好。 关键词： 第一性原理；Sn02；电子结构：掺杂 中图分类号：TN304．2．1 文献标识码：A 文章编号： 1001．9731(2007)增刊一0539．04