《集成电路工艺原理考试大纲.docVIP

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2017-08-19 发布于贵州
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《集成电路工艺原理》考试大纲一、适用专业：集成电路工程二、参考书目： 1.关旭东. 硅集成电路工艺基础. 第一版. 北京：北京大学出版社（2003.10）三、考试内容与基本要求：第一章内容：硅的晶体结构及半导体材料制备方法。要求：掌握基本概念及半导体材料制备工艺流程。第二章内容：晶体管工艺结构、集成电路工艺结构、集成电路平面工艺流程。要求：掌握器件结构图及主要工艺过程。第三章内容： SiO2的结构及性质及氧化工艺原理。要求：掌握基本概念及工艺流程，氧化层厚度计算。第四章内容：扩散系数与扩散方程、扩散工艺与设备。要求：掌握基本概念及工艺流程，扩散结深的计算。第五章内容：硅气相外延的基本原理、杂质分布、外延工艺过程及设备。要求：掌握基本概念及工艺流程。第六章内容：离子注入工艺原理。要求：掌握基本工艺流程、注入结深与杂质分布等的计算。第七章内容：光刻工艺流程、光刻胶属性及曝光技术。要求：掌握基本工艺流程及主要曝光技术。第八章内容：光刻掩模版制备工艺原理及掩模版制备工艺过程。要求：掌握工艺原理及工作流程。