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集成电路课程设计.ppt
junyu@ 集成电路课程设计 快眼看书 Clean Room Size: wafer?chip?wire 多晶圆代工（MPW,multi project wafer） 降低费用，适于研发 多晶圆代工（MPW,multi project wafer） 一次流片成本：几万至几十万元； 大批量流片成功，单芯片价格低廉（几毛钱、几分钱）； 单芯片上元器件数目：达到上千万晶体管，流片失败，损失巨大； 研发阶段，小量流片，单芯片价格高（十、百元）； 确保设计正确性，必须有完备的检查、验证规则以及计算机辅助验证手段。 晶圆代工厂提供的文件 Spice仿真模型文件 drc 版图规则验证文件 lvs 原理图与版图对比验证文件 xRC寄生电阻电容参数提取规则文件 Spice仿真模型文件(lib.eldo) 使用：原理图设计完成后，进行电路spice仿真时调用； 内容为各种器件模型： 模型的名称； 模型中的参数值； 模型的计算公式。 Spice仿真模型文件(lib.eldo) *************************************************************** * * * 1.2V NORMAL DEVICES LIB * * * *************************************************************** ***************** CORNER_LIB OF TYPICAL MODEL **************************** .LIB TT .param +toxn = 2.81E-09 cjn = 1.376E-3 cjswn = 2.06E-10 +cjswgn = 5.0462E-10 cgon = 3.85E-10 rshn = 6.6 +dvthn = 0 hdifn = 1.35E-07 dwvthn = 0 +toxp = 2.85E-09 cjp = 0 cjswp = 9.8E-11 +cjswgp = 4.53119E-10 cgop = 2.7988E-10 rshp = 7.2 +dvthp = 0 hdifp = 1.35E-07 dwvthp = 0 +dxl = 0 dxw = 0.0 .lib lib.eldo MOS .ENDL TT Spice仿真模型文件(lib.eldo) .LIB MOS * *************************************************************** * * * 1.2V NMOS DEVICES MODEL * * * *************************************************************** * .MODEL nmos.1 NMOS ( LMIN = 8.00E-07-dxl +LMAX= 2.1E-05 WMIN= 1.0005E-05-dxw WMAX= 0.000101 + LEVEL=53 TNOM = 25 VERSION = 3.2 +TOX = toxn TOXM = toxn XJ =
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