TigerSHARC处理器技术及其应用 教学课件 作者 冯小平 第7 9章 第7章.pptVIP

　　7.1 TS处理器外部总线接口技术7.1.1 TS处理器的外部总线概述　　TS处理器提供了外部总线口，用以连接外部存储器和其他外设。处理器的外部总线接口为32位的地址总线和64位的地址总线。TS处理器将外部存储器和外设都包括在统一的地址空间内，因此处理器能够寻址4 GB的DSP统一的存储器寻址空间。 　　TS处理器的外部总线能被配置成32或者64位宽度，当系统被配置成64位时，低32位连接到偶地址，高32位连接到奇地址。当TS101S内核工作在250 MHz时，其外部端口的访问速度可以达到100 MHz，即能够达到800 MB/s的访问速度；TS201S外部端口的运行速度最高可达125 MHz，数据吞吐量高达1 GB/s。 　 　　为了满足与不同外部设备的无缝连接，TS处理器的外部端口支持快速流水、慢速设备协议和SDRAM协议，且支持DMA方式进行数据传输。处理器访问外部设备时，可通过DMA通道或由处理器核直接访问。处理器内核访问时，读操作等待时间比较长。此时内核在读取数据并装入通用寄存器(Ureg)之前提供I/O缓冲，进行延迟。然而，TigerSHARC处理器访问外部数据最有效的方法是通过DMA方式。此时DMA在后台工作，处理器核在处理数据的同时，DMA仍可以不断地读入新数据或将处理过的数据送出，且系统中多个DMA数据流可能同时发生，在硬件上采用FIFO缓冲，更有助于维持系统的吞吐量。 图7.1-1 TS101S处理器的总线配置 7.1.2 EPROM和Flash接口　　1.? EPROM加载引导过程　　EPROM加载引导利用TS处理器提供的EPROM加载接口实现，它可以利用EPROM或者FLASH芯片作为处理器程序存储器。EPROM接口和FLASH接口完全一样，不同的是EPROM可以使用编程器将程序写入EPROM，然后将它插入电路板即可；而一般FLASH为表贴器件，必须采用在线编程方式完成FLASH的编程工作。 　　在系统上电或者复位时，TS处理器可以配置成从一个外部8位EPROM/FLASH进行引导的方式。此时TS处理器使用一个特定的DMA通道，将程序代码从EPROM/FLASH自动加载到它的内部存储器中，并且TS处理器的外部总线接口将8位的字节数据打包成32位指令。在正常工作阶段，处理器只能通过DMA方式访问EPROM/FLASH，但处理器内核无法直接访问EPROM/FLASH。这是因为EPROM/FLASH是字节寻址空间，它的寻址空间不属于处理器的正常存储器空间。外部EPROM/FLASH的最大存储空间为16 MB(最多使用24位地址线寻址)，而数据通过数据总线[7:0]进行传送。由于外部EPROM/FLASH是慢速的外设，高速的TS处理器与之接口时，每次读操作时需要插入16个等待周期。在最后一个EPROM引导总线周期之后有三个idle周期，用作慢速EPROM的断开时间。其操作时序如图7.1-2所示。 　图7.1-2 访问外部EPROM——插入16个等待周期 　　2. 引导EPROM/FLASH与处理器的接口　　在引导过程中，TS处理器将BMS引脚作为EPROM/FLASH的片选信号，直至引导过程结束。　　在DSP系统中，通常将应用程序存放在片外EPROM/FLASH中。FLASH作为一种读/写方便的存储器已被广泛应用，下面通过一个例子进行说明。　　DSM2150芯片是STMicro公司的544 KB的FLASH存储器，其主阵列512 KB，用于保存DSP程序代码，备用阵列32 KB，用于保存数据。该FLASH存储器的数据总线既可以配置成8位，也可以配置成16位，且在芯片内部提供一系列配置寄存器，用于控制I/O端口。TS101S与DSM2150的连接如图7.1-3所示，当处理器为TS201S时，其连接方式完全相同。 图7.1-3 TS101S与DSM21 　　3. 处理器对FLASH的在线编程示例　　当FLASH作为TS处理器程序引导(自举)时的程序加载芯片，FLASH则与EPROM的功能相似。但目前绝大多数FLASH均为表贴器件，因此如果将FLASH作为处理器系统的程序存储器，那么在系统程序调试完毕后需要将程序写入到FLASH中以便系统的加载引导。所以，需要通过TS处理器将程序代码写入FLASH中，这就是所谓的在线编程方式。 　　注意，程序FLASH是8位数据，而TS处理器的外部总线宽度是32/64位，并且在写访问时写出的数据不会自动打包成字节。当给FLASH存储器写一个字时，这个字驱动到外部总线[31:0]上。而FLASH存储器只连接了处理器的外部数据总线的低8位，因此只写入了数据最低的一个字节。由此，用户在向FLASH写入数据时，需事先编程将所有字节搬移到写出字的