在小平面三维相场模型.docVIP

小平面生长的三维相场模型金城1,2)和裕子INATOMI2) 1)固化处理的国家重点实验室,西北工业大学,西安710072,中国邮件:jchwang@nwpu.edu.cn 2)日本宇宙航空研究开发机构(isa / JAXA),Sagamihara,日本神奈川。 (2010年4月21日收到; 8月16日)Torabi等人[1]提出的强各向异性系统模型用来模拟。模拟显示小平面胞的整个形成过程。结果还表明,在后期阶段形状选择成，过冷和增长速度呈线性关系,而在形状选择阶段是一种非线性关系。 关键词:相场模型温度梯度。 1.介绍 在薄膜的硅单晶和氧化物超导体的区熔再结晶处观察锯齿小平面胞生长。由于使掺杂剂隔离固 - 液界面的形态发展，。除了半导体高上的重要性，生长是一个重要的晶体生长过程，并一个有趣的例子。在最近30年来，生长机制，特别是形成机制。上官等[2用显微镜在透明和的单向凝固的有机化合物进行原位观察。他们的结论是胞晶生长的机理是由于溶质堆积。戴伊等[8，9研究了定向生长的透明萨罗小面结晶学和形态学转变，发现萨罗的生长界面是由各种组合的（111）面限制。 Inatomi等[6，7已进行了以干涉可视化技术的一系列的实验生长的机制。最近，Tokairin等[10]通过原位观察研究了硅晶界面的形成机制，潜热的负温度梯度放大扰动，导致面形成。虽然在这一领域已经采取了巨大的努力，然而，仍然是模糊的。 除了实验方法，也进行了数值方法研究。Yokoyama等[11]提出了一个雪晶生长模式形成的模型,考虑有关晶体生长的，即分子结合成晶格表面动力学扩散过程，并模拟六角雪晶面，以及树突。Smereka等[12]使用形式进行了一系列，其中每表面的速率仅由它的结晶取向固定的。 在最近几年中，相场法已成为凝固过程中微观结构模拟图形形成一个非常强大的工具。通过这种方法,复杂形态及相关现象在一个广泛的长度尺度现在可以研究。今天正如Sekerka3]所指出的，相场法是导致后续形态不稳定复杂界面形态首选的的计算方法。相场法已经加强了我们对这些形态的起源和复杂性的理解。此外，它的主要优点之一是随时间变化的三维模拟成为可能，这使得它能够解决模式稳定性和模式14]长期的问题 由于具有高度各向异性的界面能趋向于形成面，如硅，一直备受关注15，16）此外，由于包括界面能量和生长各向异性特性相场法也已被广泛用来研究的生长行为17-22）最近，Torabi等人1）使用正规化各向异性方程提出了一种新的各向异性晶体和外延生长的相场模型。他们的模型包含高阶威尔莫正规化，平均曲率的平方添加到能以消除不适定性。他们的方法的一个关键特性是界面厚度晶体取向。 小面与金属相比在融合通常显示的熵变，凝固潜热释放行为的影响不容忽视。栗林等[3]得出小平面界面形态稳定性归因于温度分布的变化。由于萨罗各向异性的程度非常高，，从而成为一种最流行的实验材料23,24)。因此，在本论文中，考虑萨罗作为一个例子，通过使用涉及温度场的新的相场模型。 2.相场模型 2.1控制方程 到 其中是表示结晶状态为Ф≤1和熔融状态下为≤相位字段变量，是一个小的参数，它是在过渡界面层厚度的量度，是双势阱和是各向异性的表面张力。 这使得各向异性的表面能与新制剂也可以与威尔莫正规化的相位区域近似一致地结合起来。 因此，在恒定的体积V的自由能函数F被假定为 Helmholtz自由能密度形式为 各向异性表面张力由下式给出 其中a（n）是一个无量纲的函数。对于立方晶体与坐标系对齐的晶轴， 其中，e4是表面张力的各向异性强度参数。 通过变分原理，最大限度地减少总的自由能，相场和温度变量的演化可以得出： 其中是无因次温度，热扩散率。为简单起见，我们也假设等于热扩散系数在模拟中的所有阶段。 这种各向异性可能导致宏观方面的形成。在本论文中，只有表面张力各向异性被认为是探索晶面生长的生长机理。 图 1 凝固的细胞和计算域的原理图。 根据这一凝固条件,简化计算域从凝固细胞中提取,如右侧图所示的图1。由于计算能力的限制,然而,只有一小部分凝固的细胞（示为图1中的虚线框）被选择作为计算域。 然而,简化的计算域边界条件的处理将带来困难,尤其是对温度场。根据实验，5,7）的凝固细胞的表面上的温度梯度总是近似保持恒定。所以，为了简化，在计算域边界条件设定为：顶部（Ttop）的温度端和底端（TBOT）被冷却，以恒定的冷却速度，而其他表面保持温度梯度不变。这种边界条件,应用边界层,这是表面的计算域考虑。边界条件应用于边界层。作为初始条件，被设置为晶体相和刨床接口具有一定高度的下部设为为crystalmelt接口。至于温度，Ttop 315 K,Tbot 314 K温度梯度约15 K /毫米。在模拟过程中，冷却速度被设置为2 K