半导体器件物理 教学课件 作者 顾晓清 王广发 三.ppt

练习 简述晶体管的结构、基本形式和基区杂质分布的形式。 提高发射效率和基区输运系数的方法是什么？ 练习 P73 2，3 3.3 晶体管的反向电流 晶体管的反向电流是晶体管的重要参数之一，它包括ICB0，IEB0和ICE0 。 反向电流过大的危害： 　　　降低成品率 （反向电流不受输入电流控制，对放大作用无贡献，而且消耗电源功率使晶体管发热，影响晶体管工作的稳定性，甚至烧毁 ） 　　　所以，希望反向电流越小越好 。 ICB0 当发射极开路（IE=0）时， 集电极-基极的反向电流 反向电流＝少子电流＋多子电流 ▲集电结加反偏→势垒区两边的少子密度＜平衡时的少子密度→基区中的少子（电子）及集电区中的少子（空穴）都向结区扩散→少子电流 ▲体内复合中心和界面态复合中心→多子电流 ◆锗晶体管的反向电流：反向扩散电流（少子电流） ◆硅晶体管的反向电流：势垒区的产生电流（因为势垒区的产生电流是由势垒区中的复合中心提供的）多子电流 IEB0 集电极开路（IC=0）时， 发射极-基极的反向电流 ◆锗晶体管 ◆硅晶体管的IEB0完全与ICB0类似 注意 晶体管的反向扩散电流和势垒区的产生电流是很小的。 引起反向电流过大的原因往往是表面漏电流太大。 因此，在生产过程中，搞好表面清洁处理及工艺规范是减小反向电流的关键。 ICE0 基极开路（IB=0）时， 集电极-发射极之间反向电流 β：共射极电流放大系数 说明 ▲要减小ICE0，必须减小ICB0。 ▲电流放大系数β不要追求过高 （因为ICE0太大，会影响晶体管工作的稳定性） 3.4 晶体管的击穿电压 ▲晶体管的击穿电压是晶体管的 另一个重要参数 ▲晶体管承受电压的上限 ▲击穿电压有 BVEB0 BVCB0 BVCE0 BVEB0和BVCB0 BVEB0：集电极开路时，发射极与基极间的击穿电压，由发射结的雪崩击穿电压决定。 对于平面管，由于发射结由两次扩散形成，在表面处结两边杂质浓度最高，因而雪崩击穿电压在结侧面最低，BVEB0由基区扩散层表面杂质浓度NBs决定，所以BVEB0只有几伏。 ▲硬击穿（图中曲线甲）： BVCB0：集电结的雪崩击穿电压VB ▲软击穿（图中曲线乙）： BVCB0比VB低 BVCE0 BVCE0 基极开路时，集电极与发射极 之间的击穿电压。 BVCE0与BVCB0之间满足以下关系 BVCE0测试的电路图 测试时经常可以看到如图所示的负阻击穿现象。 （当VC达到BVCE0时发生击穿，击穿后电流上升，电压却反而降低。） 练习 P73 5，7 从哪些方面考虑，可以避免反向电流过大？ 发射结电流集边效应 当电流流过基区时，将产生平行于结面的横向压降，使发射结偏压从边缘到中心逐渐减小，从而导致发射极电流从边缘到中心逐渐减小。 在直流运用中，对晶体管基本上没有影响。 在交流运用中，基极电阻将产生电压反馈，因而影响晶体管的功率特性和频率特性。 因此，在晶体管设计时，要尽可能减小基极电阻。 晶体管基极电流IB的方向平行于结平面，是一股横向多子电流，如图所示。基区存在一定的电阻（基极电阻），用rb表示。 基极电阻的特点和计算方法 特点 流过基极电阻的电流是不均匀的，产生的压降也是不均匀的。 计算方法 一般用平均电压法或平均功率法来计算。 典型图形 基极电阻主要取决于晶体管的图形、尺寸和基区方块电阻。 下面分别讨论两种典型图形的基极电阻。 ★梳状晶体管的基极电阻 ★圆形晶体管的基极电阻 梳状晶体管的相关参数 具有一条发射极、两条基极的梳状晶体管单元。发射极条长le，条宽se，基区宽度Wb，基极金属电极条宽sb，基极与发射极间距离seb。 基极电阻由四部分组成： r b1 发射区下面的电阻 r b2 发射极与